"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
"Необычная" остаточная фотопроводимость в квантовой яме InAs/AlSb
Садофьев Ю.Г.1, Ramamoorthy A.1, Bird J.P.1, Johnson S.R.1, Zhang Y.-H.1
1Department of Electrical Engineering & Center for Solid State Electronics Research, Arizona State University, Tempe, AZ, USA
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Продемонстрированы необычные особенности остаточной фотопроводимости в квантовой структуре InAs/AlSb, снабженной обратным затвором. Отрицательная остаточная фотопроводимость позволила уменьшить концентрацию электронов на один полный порядок величины от 6· 1011 см-2. Это наибольшее изменение концентрации электронов для данного эффекта. В дополнение к сильной остаточной отрицательной фотопроводимости наблюдалась бистабильность релаксации сопротивления структуры при ее освещении квантами из видимой области спектра. Данные явления приписаны влиянию тонкой пленки германия, осажденной на поверхность структуры перед фотолитографией и формирующей область накопления дырок в слое GaSb из последовательности расположенных над квантовой ямой слоев Ge/GaSb/AlSb. Инфракрасное излучение инициирует биения осцилляций Шубникова-де-Гааза в области низких магнитных полей. Мы считаем, что эти биения обусловлены спиновым расщеплением в нулевом магнитном поле за счет асимметрии потенциального профиля квантовой ямы, индуцированной длительным освещением структуры.
  1. C. Nguyen, B. Brar, C.R. Bolognesi, J.J. Pekarik, H. Kroemer, J.H. English. J. Electron. Mater., 22, 255 (1993)
  2. G. Tuttle, H. Kroemer, J.H. English. J. Appl. Phys., 65, 5239 (1989)
  3. Ch. Gauer, J. Scriba, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, C. Nguyen, G. Tuttle, J.H. English, H. Kroemer. Semicond. Sci. Technol., 8, S137 (1993)
  4. S. Ideshita, A. Furukava, Y. Mochizuki, M. Mizuta. Appl. Phys. Lett., 60, 2549 (1992)
  5. В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, Д.М. Гапонова, А.В. Иконников, К.В. Маремьянов, С.В. Морозов, Ю.Г. Садофьев, S.R. Johnson, Y.-H. Zhang. ФТП, 39, 4491 (2005)
  6. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  7. P.F. Hopkins, A.J. Rimberg, R.M. Westervelt, G. Tuttle, H. Kroemer. Appl. Phys. Lett., 58, 1428 (1991)
  8. R.S. Bauer, H.W. Sang, Jr. Surf. Sci., 132, 479 (1983)
  9. Yu.A. Bychkov, E.I. Rashba. JETP Lett., 39, 78 (1984)
  10. J. Luo, H. Munekata, F.F. Fang, P.J. Stiles. Phys. Rev. B, 41, 7685 (1990)
  11. J.P. Heida, B.J. van Wees, J.J. Kuipers, T.M. Klapwijk, G. Borghs. Phys. Rev. B, 57, 11 911 (1998)
  12. D. Grundler. Phys. Rev. Lett., 84, 6074 (2000)
  13. S. Brosig, K. Ensslin, R.J. Warburton, C. Nguyen, B. Brar, M. Thomas, H. Kroemer. Phys. Rev. B, 60, 13 989 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.