Вышедшие номера
Терагерцовая люминесценция гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами при оптическом возбуждении доноров
Бекин Н.А.1, Жукавин Р.Х.1, Ковалевский К.А.1, Павлов С.Г.1, Звонков Б.Н.2, Ускова Е.А.2, Шастин В.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

Исследовано спонтанное излучение селективно легированных гетероструктур GaAs/InGaAs : Si и GaAs/InGaAsP : Si в терагерцовом диапазоне частот (~ 3-3.5 ТГц) на переходах между состояниями двумерной подзоны и донорного центра (Si) при возбуждении излучением CO2-лазера и температуре жидкого гелия. Показана возможность создания инверсии населенности и усиления в активном слое до 100-300 см-1 в многослойных структурах с квантовыми ямами (50 периодов) с концентрацией легирующих центров ND~ 1011 см-2 при плотности потока возбуждения 1023 квант/см2· с.