Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Терагерцовая люминесценция гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами при оптическом возбуждении доноров

Бекин Н.А.¹, Жукавин Р.Х.¹, Ковалевский К.А.¹, Павлов С.Г.¹, Звонков Б.Н.², Ускова Е.А.², Шастин В.Н.¹

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия

Поступила в редакцию: 1 июня 2004 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано спонтанное излучение селективно легированных гетероструктур GaAs/InGaAs : Si и GaAs/InGaAsP : Si в терагерцовом диапазоне частот (~ 3-3.5 ТГц) на переходах между состояниями двумерной подзоны и донорного центра (Si) при возбуждении излучением CO₂-лазера и температуре жидкого гелия. Показана возможность создания инверсии населенности и усиления в активном слое до 100-300 см^-1 в многослойных структурах с квантовыми ямами (50 периодов) с концентрацией легирующих центров N_D~ 10¹¹ см^-2 при плотности потока возбуждения 10²³ квант/см²· с.

O. Gauhier-Lafaye, P. Boucaud, F.H. Julien, S. Sauvage, S. Cabaret, J.-M. Lourtioz, V. Thierry-Mieg, R. Planel. Appl. Phys. Lett., 71 (25), 3619 (1997)
J. Faist, F. Capasso, S. Sirtori, D. Sivco, A. Hutchinson, A. Cho. Nature (London), 387, 777 (1997)
V.N. Shastin, E.E. Orlova, R.Kh. Zhukavin, S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, H. Riemann. In: Towards the First Silicon Laser, ed. by L. Pavesi et al. (Kluwer Academic Publishers, 2003) p. 341
C.J. Johnson, G.H. Sherman, R. Weil. Appl. Optics, 8, 1667 (1969)
Rudeger Kohler, Alessandro Tredicucci, Fabio Beltram, Harvey E. Beere, Edmund H. Linfield, A. Giles Davies, David A. Ritchie, Sukhdeep S. Dhillon, Carlo Sirtori. Appl. Phys. Lett., 82, 1518 (2003)
N.A. Bekin, L.V. Krasilnikova, S.G. Pavlov, V.N. Shastin. Phys. Status Solidi С, 0 (2), 661 (2003)
Н.А. Бекин. Матер. совещ. "Нанофотоника" (Н. Новгород, 2004) с. 55
R.L. Greene, K.K. Bajaj. Phys. Rev. B, 34, 951 (1986)
M. Rochat, M. Beck, J. Faist, U. Oesterle. Appl. Phys. Lett., 78, 1967 (2001)
J. Ulrich, R. Zobl, N. Finger, K. Unterrainer, G. Strasser, E. Gornik. Physica B, 272, 216 (1999)
C. Sirtori, A.A. Tredicucci, F. Capasso, J. Faist, D. Sivco, A. Hutchinson, A. Cho. Optics Lett., 23, 463 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель