"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Причины устойчивости трехбислойных островков и ступеней на поверхности Si (111)
Зверев А.В.1, Неизвестный И.Г.1, Рейзвих И.А.1, Романюк К.Н.1, Тийс С.А.1, Шварц Н.Л.1, Яновицкая З.Ш.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 11 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.

Начальные стадии роста слоев Ge и Si на сингулярной поверхности Si(111) демонстрируют необычную морфологию ростовой поверхности при осаждении с низкой скоростью: образование треугольных островков высотой до трех атомных слоев. С помощью моделирования по методу Монте-Карло показано, что дополнительный барьер 0.5-0.6 эВ для встраивания атомов на димеризованные связи на краях треугольных островков приводит к ускоренному росту островков в высоту и к изменению ориентации треугольников. Предложена гипотеза, объясняющая начальный рост многослойных островков и ограничение их высоты тремя бислоями влиянием краевых димеров, ориентация которых изменяется при достижении ступенью, перпендикулярной направлениям < 1 1 2>, высоты в 3 бислоя. С помощью сканирующей туннельной микроскопии обнаружены новые особенности атомной структуры регулярных трехбислойных ступеней на поверхности Si(557). Результаты анализа изображений, полученных на сканирующем туннельном микроскопе, подтверждают гипотезу о формировании ряда димеров на краю трехбислойной ступени.
  1. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68, 075 409 (2003)
  2. G. Jin, Y.S. Tang, J.L. Liu, K.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 74, 2471 (1999)
  3. J. Viernow, J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh, F.M. Leibsle, F.-K. Men, F.J. Himpsel. Appl. Phys. Lett., 72, 948 (1998)
  4. J. Viernow, D.Y. Petrovykh, F.-K. Men, A. Kirakosian, J.-L. Lin, F.J. Himpsel. Appl. Phys. Lett., 74, 2125 (1999)
  5. R.A. Zhachuk, S.A. Teys, A.E. Dolbak, B.Z. Olshanetsky. Surf. Sci., 565, 37 (2004)
  6. A. Kirakosian, R. Bennewitz, J.N. Crain, Th. Fauster, J.-L. Lin, D.Y. Petrovykh, F.J. Himpsel. Appl. Phys. Lett., 79, 1608 (2001)
  7. K. Brunner. Rep. Prog. Phys., 65, 27 (2002)
  8. Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998)
  9. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН, 168, 1083 (1998)
  10. В.И. Трофимов, В.А. Осадченко. Рост и морфология тонких пленок (М., Энергоатомиздат, 1993)
  11. В.И. Трофимов, В.Г. Мокеров. ДАН, 375, П 4, 465 (2000)
  12. B. Voigtlaender. Surf. Sci. Reports, 43, 127 (2001)
  13. S.A. Teys, B.Z. Olshanetsky. Phys. Low-Dim. Structur., 1/2, 37 (2002).
  14. U. Kohler, O. Jusko, G. Pietsch, B. Muller, M. Henzler. Surf. Sci., 248, 321 (1991)
  15. А.Б. Талочкин, С.А. Тийс. Письма ЖЭТФ, 75, 314 (2002)
  16. D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett., 59, 1691 (1987)
  17. Y.W. Mo, R. Kariotis, B.S. Swartzentruber, M.B. Webb, M.G. Lagally. J. Vac. Sci. Technol., A8, 201 (1990)
  18. Zh. Zhang, F. Wu, H.J. Zandvliet, B. Poelsema, H. Metiu, M.G. Lagally. Phys. Rev. Lett., 75, 3544 (1995)
  19. H. Okada, Y. Fujimoto, K. Endo, K. Hirose, Y. Mori. Phys. Rev. B, 63, 195 324 (2001)
  20. J. Cai, J.-S. Wang. Phys. Rev. B, 64, 035 402 (2001)
  21. Y. Fujikawa, K. Akiyama, T. Nagao, T. Sakurai, M.G. Lagally, T. Hashimoto, Y. Morikawa, K. Terakura. Phys. Rev. Lett., 88, 176 101 (2002)
  22. K. Takayanagi, Y. Tahishiro, S. Takahashi, M. Takahashi. Surf. Sci., 164, 367 (1985)
  23. M. Hupalo, C.Z. Wang, B.J. Min, K.M. Ho, M.C. Tringides. Phys. Rev. B, 67, 115 333 (2003)
  24. I.-S. Hwang, Mon-Su Ho, T.T. Tsong. Phys. Rev. Lett., 83, 120 (1999)
  25. B.Z. Olshanetsky, A.A. Shklyaev. Surf. Sci., 82, 445 (1979)
  26. I.G. Neizvestny, N.L. Shwartz, Z.Sh. Yanovitskaya, A.V. Zverev. Computer Phys. Commun., 147, 272 (2002)
  27. H. Nakahara, M. Ichikawa, S. Stoyanov. Surf. Sci., 329, 115 (1995)
  28. Л.В. Соколов, М.А. Ламин, В.А. Марков, В.И. Машанов, О.П. Пчеляков, С.И. Стенин. Поверхность, 6, 53 (1991)
  29. V. Cherepanov, B. Voigtlander. Appl. Phys. Lett., 81, 4745 (2002).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.