Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Обратимые фотоиндуцированные изменения в спектре локализованных состояний в пленках AsSe
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 24 января 2005 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2005 г.
В результате исследования температурной зависимости дрейфовой подвижности носителей заряда в пленках AsSe, претерпевающих фотоструктурные превращения, получено обратимое фотоиндуцированное изменение величин подвижности и ее энергии активации. Установлено, что значения дрейфовой подвижности и энергии активации зависели от условий отжига образцов. Форма импульсов дрейфа свидетельствовала об увеличении степени дисперсионности переноса в облученных и отожженных после облучения пленках. Получены значения концентрации и энергии локализованных состояний, контролирующих перенос в пленках AsSe до и после облучения. Полученные данные свидетельствуют о возможности управления основными параметрами ловушек для носителей заряда.
- R. Chang. Mater. Res. Bull., 2, 145 (1967)
- S.A. Keneman. Appl. Phys. Lett., 19, 205 (1971)
- K. Tanaka. J. Non-Cryst. Sol., 35/36, 1023 (1980)
- Б.Т. Коломиец, В.М. Любин, В.П. Шило. Физика и химия стекла, 4, 351 (1978)
- V.L. Averyanov, B.T. Kolomiets, V.M. Lyubin, M.A. Taguyrdzhanov. Proc. 7th Int. Conf. Amorph. and Liq. Semicond., ed. by W.E. Spear (Edinburgh, 1977) p. 802
- K. Shimakawa, S. Inami, S.R. Elliott. Phys. Rev. B, 42, 11 857 (1990)
- А.В. Колобов, К. Шимакава. В сб.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) с. 365
- A.V. Kolobov, J. Tominaga. J. Optoelectron. and Adv. Mater., 4, 679 (2002)
- W.E. Spear. J. Non Cryst. Sol., 1, 197 (1969)
- Э.А. Лебедев, Л.П. Казакова. В сб.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) с. 141
- G. Pfister, H. Scher. Adv. Phys., 27, 747 (1978)
- L.P. Kazakova, L. Toth, M.A. Taguyrdzhanov. Phys. Status Solidi A, 71, K107 (1982)
- Н.Ф. Мотт, Э.А. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N. Mott, E. Davis. Electronic processes in non-cryst. solids]
- R.A. Street, N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35, 1293 (1975)
- M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 37, 1504 (1976)
- В.И. Архипов, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, А.И. Руденко. ФТП, 21, 724 (1987)
- L. Toth. Proc. Int. Conf. Amorph. Semicond.-84 (Gabrovo, 1984). v. 1. p. 236
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
