"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние температуры вакуумного отжига на край фундаментального поглощения и структурную релаксацию пленок a-SiC : H
Васин А.В.1, Русавский А.В.1, Лысенко В.С.1, Назаров А.Н.1, Кушниренко В.И.1, Старик С.П.2, Степанов В.Г.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Киев, Украина
2Институт сверхтвердых материалов им. В.Н. Бакуля, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 23 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2005 г.

Представлены экспериментальные результаты исследования влияния температуры вакуумного отжига на свойства края фундаментального поглощения и реконструкцию ближнего порядка пленок аморфного гидрогенизированного карбида кремния a-SiC : H, полученных с помощью магнетронного распыления кремния в атмосфере Ar + CH4. Показано, что при низких температурах отжига (450oC) происходит перераспределение связанного водорода, определяемое обрывом кремний-водородных связей и захватом атомарного водорода на оборванные связи атомов углерода, что приводит к усилению видимой фотолюминесценции. При более высоких температурах отжига происходит обрыв углерод-водородных связей и кластеризация свободного углерода. Обосновывается, что центрами безызлучательной рекомбинации в пленках a-SiC : H в основном являются электронные состояния, обусловленные оборванными связями атомов углерода.
  1. I.N. Trapeznikova, O.I. Kon'kov, V.E. Chelnokov, E.I. Terukov, M.P. Vlasenko. Proc 5th Int. Conf. SiC and Related Materials (Washington, DC, 1993) p. 125
  2. I. Magafas. J. Non-Cryst. Sol., 318 (1--2), 158 (1998)
  3. A.L. Baia Neto, S.S. Camargo, jr., R. Carius. Surf. Coat. Technol., 120--121, 395 (1999)
  4. R. Messier, A.P. Giri, R.A. Roy. J. Vac. Sci. Technol. A, 2 (2), 500 (1984)
  5. J. Tauc, R. Grigorovici, A. Vancu. Phys. Status Solidi, 15 (1), 627 (1966)
  6. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, гл. 6, с. 334. [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes on non-crystalline materials (Clarendon Press, Oxford, 1979)]
  7. J. Cui, Rusli, S.F. Yoon. J. Appl. Phys., 89 (5), 2699 (2001)
  8. A.L. Baia Nato, S.S. Camargo, R. Carius, F. Finger, W. Beyer. Surf. Coat. Technol., 120--121, 395 (1999)
  9. L. Magafas. J. Non-Cryst. Sol., 238 (1--2), 158 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.