Методом Бриджмена получены монокристаллы теллурида кадмия, легированные ванадием и германием, с концентрацией примесей в расплаве N_V=1· 10¹⁹ см^-3, N_Ge=5· 10¹⁸; 1· 10¹⁹ см^-3. Исследованы электрические и гальваномагнитные характеристики в интервале температур 300-400 K. Установлено, что равновесные характеристики определяются глубокими уровнями (Delta E=0.75-0.95 эВ), которые находятся почти посредине запрещенной зоны. Низкотемпературные спектры оптического поглощения свидетельствуют о том, что в области малых энергий примесные уровни ионов ванадия и германия находятся в различных зарядовых состояниях. Отжиг образцов в парах кадмия с последующим резким охлаждением приводит к распаду различных комплексов, образованных в процессе роста кристалла, увеличению электропроводности и концентрации носителей заряда.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.