Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Поведение структурных дефектов и проводимости в легированных бором пленках nc-SiC : H, выращенных методом photo-CVD

Шевалеевский О.И.¹, Myong S.Y.², Lim K.S.², Miyajima S.³, Konagai M.³

¹Институт биохимической физики Российской академии наук, Москва, Россия
²Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon 305-701, South Korea
³Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 15, Japan

Поступила в редакцию: 21 июля 2004 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано поведение парамагнитных DB-дефектов и темновой проводимости (sigma_d) в легированных бором пленках нанокристаллического гидрированного кремния с добавками углерода nc-SiC : H, выращенных методом photo-CVD. Показано, что увеличение уровня легирования приводит к фазовому переходу от кристаллической структуры к аморфной. Проводимость растет с легированием до sigma_d=5.5·10^-2 Ом^-1·см^-1, однако после фазового перехода понижается. Концентрация DB-дефектов с легированием монотонно убывает от 10¹⁹ см^-3 в кристаллической до 9·10¹⁷ см^-3 в аморфной структуре.

S.Y. Myong, S.S. Kim, K.S. Lim. J. Appl. Phys., 95, 1525 (2004)
Y. Hamakawa, H. Okamoto, Y. Tawada. Int. J. Solar Energy, 1, 125 (1982)
О.И. Шевалеевский, А.А. Цветков, Л.Л. Ларина, S.Y. Myong, K.S. Lim. ФТП, 38, 547 (2004)
O. Chevaleevski, S.Y. Myong, K.S. Lim. Sol. St. Commun., 128, 355 (2003)
А.Г. Казанский, Х. Мелл, Е.И. Теруков, П.А. Форш. ФТП, 36, 41 (2002)
H.K. Lee, S.Y. Myong, K.S. Lim, E. Yoon. J. Non-Cryst. Sol., 316, 297 (2003)
F. Finger, J. Muller, C. Malten, R. Carius, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 511 (2000)
М.М. Мездрогина, А.В. Пацекин. ФТП, 34, 354 (2000)
S.Y. Myong, T.H. Kim, K.S. Lim, K.H. Kim, B.T. Ahn, S. Miyajima, M. Konagai. Sol. Energy Mater. Solar. Cells, 81, 485 (2004)
C. Boehme, K. Lips. J. Non-Cryst. Sol., 338--340, 434 (2004)
M. Stutzmann, M.S. Brandt, M.W. Bayerl. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 1 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель