"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства гетероструктур с квантово-размерными слоями InGaAsN на подложках GaAs, излучающих в области 1.3-1.55 мкм
Крыжановская Н.В.1, Егоров А.Ю.1, Мамутин В.В.1, Поляков Н.К.1, Цацульников А.Ф.1, Ковш А.Р.1, Леденцов Н.Н.2, Устинов В.М.1, Бимберг Д.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Deutschland
Поступила в редакцию: 24 ноября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Проведены исследования фотолюминесцентных свойств двух видов гетероструктур с квантово-размерными слоями InGaAsN/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии: 1) традиционные квантовые ямы InGaAsN в GaAs и 2) гетероструктуры с активной областью, состоящей из короткопериодной сверхрешетки GaAsN/InGaAsN, в центр которой помещена квантовая яма InGaAsN со вставкой InAs субмонослойной толщины. Исследованные гетероструктуры демонстрируют излучение в диапазоне длин волн от ~1.3 до ~1.55 мкм при комнатной температуре. Показано, что для получения излучения с длиной волны более 1.5 мкм в гетероструктурах второго типа требуется меньшая средняя концентрация азота и индия, чем в традиционной квантовой яме, что позволяет существенно уменьшить эффекты, связанные с распадом твердого раствора InGaAsN, и значительно увеличить излучательную эффективность квантовых ям InGaAsN.
  1. J.S. Harris. Semicond. Sci. Technol., 17, 880 (2002)
  2. B. Borchert, A.Yu. Egorov, S. Illek, M. Komainda, H. Riechert. Electron. Lett., 35, 2204 (1999)
  3. M.C. Larson, M. Kondow, T. Kitatani, K. Nakahara, K. Tamura, H. Inoue, H. Oumi. IEEE Photon. Technol. Lett., 10, 188 (1998)
  4. M. Kondow, K. Uomi, K. Hosomi, T. Mozume. Jap. J. Appl. Phys., 33, L1056 (1994)
  5. M. Fischer, M. Reinhardt, A. Forhel. Electron. Lett., 36, 1208 (2000)
  6. L.F. Bian, D.S. Jiang, S.L. Lu, J.S. Huang, K. Chang, L.H. Li, J.C. Harmand, J. Cryst. Crowth., 250, 339 (2003)
  7. А.Ю. Егоров, В.В. Мамутин, В.М. Устинов. Заявка на патент РФ N 2004113171, приоритет от 28.04.2004
  8. B.V. Volovik, A.R. Kovsh, W. Passenberg, H. Kuenzel, N. Grote, N.A. Cherkashin, Yu.G. Musikhin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, V.M. Ustinov. Semicond. Sci. Technol., 16, 186 (2001)
  9. X.P. Xin, C.W. Tu. Appl. Phys. Lett., 72, 2442 (1998)
  10. V.A. Odnoblyudov, A.Yu. Egorov, N.V. Kryzhanovskaya, A.G. Gladyshev, V.V. Mamutin, A.F. Tsatsul'nikov, V.M. Ustinov. Techn. Phys. Lett., 28, 964 (2002)
  11. A. Polimeni, M. Capizzi, M. Geddo, M. Fischer, M. Reingardt, A. Forchel. Appl. Phys. Lett., 77, 2870 (2000)
  12. H.D. Sun, M.D. Dawson, M. Othman, J.C.L. Yong, J.M. Rorison, P. Gilet, L. Grenouillet, A. Million. Appl. Phys. Lett., 82, 376 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.