Электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре
Герасимович А.А.1,2, Жоховец С.В.1,2, Гобш Г.2, Доманевский Д.С.1
1Белорусский национальный технический университет, Минск, Белоруссия
2Institute of Physics, Ilmenau Technical University, Ilmenau, Germany
Поступила в редакцию: 14 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.
Исследовано электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре. Наблюдалось осциллирующее поведение сигнала электроотражения в зависимости от толщины верхнего барьера AlGaAs. Экспериментальные данные анализируются с использованием диэлектрической функции квантовых ям и метода матриц переноса для слоистых систем, что позволяет определить параметры квантовых ям и барьерных слоев.
- A.J. Shields, P.C. Klipstein. Phys. Rev. B, 43, 9118 (1991)
- A.F. Terzis, X.C. Liu, A. Petrou, B.D. McCombe, M. Dutta, H. Shen, Doran D. Smith, M.W. Cole, M. Taysing-Lara, P.G. Newman. J. Appl. Phys., 67, 2501 (1990)
- R. Ferrini, M. Geddo, G. Guizzetti, M. Patrini, S. Franchi, C. Bocchi. Phys. Rev. B, 59, 15 395 (1999)
- D.Y. Li, S.H. Liang, Y.S. Huang, K.K. Tiong, Fred H. Pollak, K.R. Evans. J. Appl. Phys., 85, (1999)
- Y. Fu, M. Willander, Z.L. Miao, W. Li. J. Appl. Phys., 89, 3138 (2001)
- A. Herasimovich, S. Shokhovets, R. Goldhahn, G. Gobsch. Thin Sol. Films, 450 (1), 199 (2004)
- М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970) с. 77
- G. Bastard. Phys. Rev. B, 24, 5693 (1981)
- M.G. Burt. Appl. Phys. Lett., 65, 717 (1994)
- M. Altarelli, U. Ekenberg, A. Fasolino. Phys. Rev. B, 32, 5138 (1985)
- D.A. Broido, L.J. Sham. Phys. Rev. B, 34, 3917 (1986)
- A. Twardowski, C. Hermann. Phys. Rev. B, 35, 8144 (1987)
- D. Ahn, S.-L. Chuang. IEEE J. Quant. Electron., 26, 13 (1990)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
- D.S. Chemla, D.A.B. Miller, P.W. Smith, A.C. Gossard, W. Wiegmann. IEEE J. Quant. Electron., 20, 265 ( 1986)
- E.H. Li, B.L. Weiss, K.S. Chan. IEEE J. Quant. Electron., 32, 1399 (1996)
- S.L. Chuang. Physics of Optoelectronic Devices (N. Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, John Wiley \& Sons, Inc., 1995) p. 385
- D. Ahn, T.-K. Yoo. IEEE J. Quant. Electron., 29, 2864 (1993)
- C.C. Kim, J.W. Garland, P.M. Raccah. Phys. Rev. B, 47, 1876 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук