"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре
Герасимович А.А.1,2, Жоховец С.В.1,2, Гобш Г.2, Доманевский Д.С.1
1Белорусский национальный технический университет, Минск, Белоруссия
2Institute of Physics, Ilmenau Technical University, Ilmenau, Germany
Поступила в редакцию: 14 сентября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Исследовано электроотражение и отражение структуры GaAs/AlGaAs с одиночной квантовой ямой при комнатной температуре. Наблюдалось осциллирующее поведение сигнала электроотражения в зависимости от толщины верхнего барьера AlGaAs. Экспериментальные данные анализируются с использованием диэлектрической функции квантовых ям и метода матриц переноса для слоистых систем, что позволяет определить параметры квантовых ям и барьерных слоев.
  1. A.J. Shields, P.C. Klipstein. Phys. Rev. B, 43, 9118 (1991)
  2. A.F. Terzis, X.C. Liu, A. Petrou, B.D. McCombe, M. Dutta, H. Shen, Doran D. Smith, M.W. Cole, M. Taysing-Lara, P.G. Newman. J. Appl. Phys., 67, 2501 (1990)
  3. R. Ferrini, M. Geddo, G. Guizzetti, M. Patrini, S. Franchi, C. Bocchi. Phys. Rev. B, 59, 15 395 (1999)
  4. D.Y. Li, S.H. Liang, Y.S. Huang, K.K. Tiong, Fred H. Pollak, K.R. Evans. J. Appl. Phys., 85, (1999)
  5. Y. Fu, M. Willander, Z.L. Miao, W. Li. J. Appl. Phys., 89, 3138 (2001)
  6. A. Herasimovich, S. Shokhovets, R. Goldhahn, G. Gobsch. Thin Sol. Films, 450 (1), 199 (2004)
  7. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970) с. 77
  8. G. Bastard. Phys. Rev. B, 24, 5693 (1981)
  9. M.G. Burt. Appl. Phys. Lett., 65, 717 (1994)
  10. M. Altarelli, U. Ekenberg, A. Fasolino. Phys. Rev. B, 32, 5138 (1985)
  11. D.A. Broido, L.J. Sham. Phys. Rev. B, 34, 3917 (1986)
  12. A. Twardowski, C. Hermann. Phys. Rev. B, 35, 8144 (1987)
  13. D. Ahn, S.-L. Chuang. IEEE J. Quant. Electron., 26, 13 (1990)
  14. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  15. D.S. Chemla, D.A.B. Miller, P.W. Smith, A.C. Gossard, W. Wiegmann. IEEE J. Quant. Electron., 20, 265 ( 1986)
  16. E.H. Li, B.L. Weiss, K.S. Chan. IEEE J. Quant. Electron., 32, 1399 (1996)
  17. S.L. Chuang. Physics of Optoelectronic Devices (N. Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, John Wiley \& Sons, Inc., 1995) p. 385
  18. D. Ahn, T.-K. Yoo. IEEE J. Quant. Electron., 29, 2864 (1993)
  19. C.C. Kim, J.W. Garland, P.M. Raccah. Phys. Rev. B, 47, 1876 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.