Вышедшие номера
Локальная туннельная спектроскопия кремниевых наноструктур
Баграев Н.Т.1, Буравлев А.Д.1, Клячкин Л.Е.1, Маляренко А.М.1, Гельхофф В.2, Романов Ю.И.3, Рыков С.А.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, Berlin, Deutschland
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 октября 2004 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2005 г.

Процессы перезарядки многодырочных и малоэлектронных квантовых точек в условиях баллистического транспорта одиночных носителей тока внутри самоупорядоченных квантовых ям на поверхности кремния (100) изучаются с помощью методики локальной туннельной спектроскопии при высоких температурах вплоть до комнатной. На основании данных измерений туннельных вольт-амперных характеристик при прохождении одиночных носителей тока через заряженные квантовые точки идентифицируются режимы кулоновской блокады, кулоновских осцилляций проводимости и формирования электронных оболочек. Туннельные вольт-амперные характеристики демонстрируют влияние размерного квантования и электрон-электронного взаимодействия на характеристики транспорта одиночных носителей тока через кремниевые квантовые проволоки, содержащие слабо- и сильносвязанные квантовые точки.