Применимость упрощенной модели Шокли--Рида--Холла для полупроводников с различными типами дефектов
Яшин А.Н.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 27 января 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.
Исследованы ограничения на максимальную концентрацию дефектов, при которой в теории рекомбинации Шокли-Рида-Холла все еще применимо часто используемое предположение о равенстве времен жизни электронов и дырок. На примере легированного кремния рассмотрена зависимость данной концентрации от уровня инжекции и различных параметров дефектов. Исследованы случаи, когда полупроводник содержит дефекты только одного типа, а также нескольких типов. Проведенный анализ позволяет определить параметры образца, при которых для расчета времен жизни носителей заряда может быть использована упрощенная модель рекомбинации.
- D. Macdonald, A. Cuevas. Phys. Rev. B, 67, 075 203 (2003)
- S. Rein, T. Rehrl, W. Warta, S.W. Glunz. J. Appl. Phys., 91, 2059 (2002)
- J.S. Blakemore. Semiconductor Statistics (Oxford, Pergamon, 1962)
- H. Bleichner, P. Jonsson, N. Keskitalo, E. Nordlander. J. Appl. Phys., 79, 9142 (1996)
- D.L. Meier, J.-M. Hwang, R.B. Campbell. IEEE Trans. Electron. Dev., 35, 70 (1988)
- W. Shockley, W.T. Read. Phys. Rev., 87, 835 (1952)
- S.Zh. Karazhanov. Semicond. Sci. Technol., 16, 276 (2001)
- S.Zh. Karazhanov. J. Appl. Phys., 88, 3941 (2000)
- S.C. Choo. Phys. Rev. B, 1, 687 (1970)
- H. Bleichner, P. Jonsson, N. Keskitalo, E. Nordlander. J. Appl. Phys., 79, 9142 (1996)
- N. Keskitalo, P. Jonsson, K. Nordgren, H. Bleichner, E. Nordlander. J. Appl. Phys., 83, 4206 (1998)
- H.-J. Schultze, A. Frohnmeyer, F.-J. Niedernostheide, F. Hille, P. Tutto, T. Pavelka, G. Wachutka. J. Electrochem. Soc., 148, G655 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук