"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Чувствительность структур диэлектрик--полупроводник к нестационарным световым потокам
Ковтонюк Н.Ф.1, Мисник В.П.1, Соколов А.В.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие 1ptЦентральный научно-исследовательский институт "Комета"1pt, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

Рассмотрена кинетика электронных процессов в структурах металл--диэлектрик--полупроводник, в которых слой диэлектрика обладает небольшой проводимостью. При питании структуры постоянным напряжением в полупроводниковом слое возникает неравновесная обедненная область. Проанализированы условия, необходимые для формирования устойчивой обедненной области и для образования в ней фотоэлектрических сигналов. Приведены оценки длительности переходных процессов и параметров слоев структуры.
  1. Н.Ф. Ковтонюк, Е.Н. Сальников. Фоточувствительные МДП-приборы для преобразования изображений (М., Радио и связь, 1990) гл. 4, с. 106
  2. Н.Ф. Ковтонюк, В.П. Мисник. РЭ, 47 (9), 1145 (2002)
  3. Н.Ф. Ковтонюк, В.П. Мисник, А.В. Соколов. Оптич. журн., 71 (5), 17 (2004)
  4. Н.Ф. Ковтонюк, Г.Н. Савков, Л.И. Ванина. ФТП, 9 (6), 1208 (1975)
  5. T. Ashley, C.T. Elliott, A.T. Harker. Infr. Phys., 26 (5), 303 (1986)
  6. Н.Ф. Ковтонюк, В.А. Морозов, В.Г. Фадин, П.А. Богомолов, Ю.Б. Алисултанов, И.С. Потапов. ФТП, 6 (3), 575 (1972)
  7. Н.Ф. Ковтонюк, В.А. Морозов. РЭ, 18 (2), 430 (1983)
  8. Н.Ф. Ковтонюк, Г.Н. Савков, А.И. Веров, Л.И. Ванина. Микроэлектроника, 5 (2), 196 (1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.