Чувствительность структур диэлектрик--полупроводник к нестационарным световым потокам
Ковтонюк Н.Ф.1, Мисник В.П.1, Соколов А.В.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие 1ptЦентральный научно-исследовательский институт "Комета"1pt, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 28 февраля 2005 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.
Рассмотрена кинетика электронных процессов в структурах металл-диэлектрик-полупроводник, в которых слой диэлектрика обладает небольшой проводимостью. При питании структуры постоянным напряжением в полупроводниковом слое возникает неравновесная обедненная область. Проанализированы условия, необходимые для формирования устойчивой обедненной области и для образования в ней фотоэлектрических сигналов. Приведены оценки длительности переходных процессов и параметров слоев структуры.
- Н.Ф. Ковтонюк, Е.Н. Сальников. Фоточувствительные МДП-приборы для преобразования изображений (М., Радио и связь, 1990) гл. 4, с. 106
- Н.Ф. Ковтонюк, В.П. Мисник. РЭ, 47 (9), 1145 (2002)
- Н.Ф. Ковтонюк, В.П. Мисник, А.В. Соколов. Оптич. журн., 71 (5), 17 (2004)
- Н.Ф. Ковтонюк, Г.Н. Савков, Л.И. Ванина. ФТП, 9 (6), 1208 (1975)
- T. Ashley, C.T. Elliott, A.T. Harker. Infr. Phys., 26 (5), 303 (1986)
- Н.Ф. Ковтонюк, В.А. Морозов, В.Г. Фадин, П.А. Богомолов, Ю.Б. Алисултанов, И.С. Потапов. ФТП, 6 (3), 575 (1972)
- Н.Ф. Ковтонюк, В.А. Морозов. РЭ, 18 (2), 430 (1983)
- Н.Ф. Ковтонюк, Г.Н. Савков, А.И. Веров, Л.И. Ванина. Микроэлектроника, 5 (2), 196 (1976)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук