Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительность гетероструктур на мелкодисперсной фазе полупроводников

Николаев Ю.А.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.¹, Теруков Е.И.¹, Ушакова Т.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 9 июня 2003 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложен и создан новый тип гетероструктур, основанных на прямом контакте объемного полупроводника со слоем диэлектрика с рассредоточенной в нем мелкодисперсной фазой полупроводника. На гетероструктурах из Si и GaAs обнаружено выпрямление и фотовольтаический эффект. Показано, что при освещении таких структур со стороны слоя диэлектрика с мелкодисперсной фазой полупроводника возникает широкополосный фотовольтаический эффект в глубине фундаментального поглощения объемного полупроводника.

Zh.I. Alferov. Rev. Mod. Phys., 73, 767 (2001)
J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. 2000 IEEE LEOS Annual Meeting Conf. Proc. (November 13--14, 2000) 1, p. 304
N.A. Maleev, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, S.S. Mikhrin, A.P. Vasilev, E.S. Semenova, Yu.M. Shernyakov, E.V. Nikitina, N.V. Kryjanovskaya, D.S. Sirov, I.P. Soshnikov, M.V. Maximov, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. 10ht Int. Symp. " Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, June 17--21, 2002) p. 399
Л.В. Асрян, Р.А. Сурис. ФТП, 38, 3 (2004)
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Х. Шпунт. ЖТФ, 70, 114 (2000)
Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1979)
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 31, 245 (1997)
E.V. Astrova, A.A. Lebedev, A.D. Remenyuk, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. Thin Sol. Films, 297, 129 (1997)
A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)
Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель