Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2005, выпуск 11 » Статья стр. 1281
>>>
Светодиоды на основе твердых растворов GaSb для средней инфракрасной области спектра 1.6--4.4 мкм О б з о р
Данилова Т.Н.1, Журтанов Б.Е.1, Именков А.Н.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2005 г.
PDF версия
Представлен обзор опубликованных нами работ по созданию и исследованию светодиодов для области спектра 1.6-4.4 мкм на основе гетероструктур, выращенных на подложке GaSb методом жидкофазной эпитаксии, позволяющим создавать слои достаточной толщины, изопериодные с GaSb. Активная область для спектральных диапазонов 1.8-2.4 и 3.4-4.4 мкм состояла из твердого раствора GaInAsSb, а для диапазона 1.6-1.8 мкм из твердого раствора AlGaAsSb. Широкозонные ограничительные слои AlGaAsSb содержали большое количество Al, до 64%, что является рекордным для метода жидкофазной эпитаксии. Создавались и исследовались несимметричные (GaSb/GaInAsSb/AlGaAsSb) и симметричные (AlGaAsSb/GaInAsSb/AlGaAsSb) гетероструктуры. Разрабатывались раличные виды конструкций, позволяющие улучшить выход генерированного в активной области излучения наружу. Измеренный внешний квантовый выход излучения достигал 6.0% при 300 K для светодиодов на длины волн 1.9-2.2 мкм. Получена импульсная оптическая мощность излучения 7 мВт при токе 300 мА со скважностью 2 и 190 мВт при токе 1.4 А со скважностью 200. В светодиодах, излучающих в спектральной области 3.4-4.4 мкм получен внешний квантовый выход излучения ~ 1% - в 3 раза больший, чем в известной гетероструктуре InAsSb/InAsSbP, выращенной на подложке InAs. Измеренное время жизни неосновных носителей заряда (5-50 нс) близко к теоретическому при учете только излучательной и ударной СНСС объемной рекомбинации. Ударная рекомбинация преобладает при температурах выше 200 K для светодиодов, работающих в спектральном диапазоне 3.4-4.4 мкм, и выше 300 K для светодиодов, работающиx в спектральном диапазоне 1.6-2.4 мкм.
  1. A. Mabbit, A. Parker. Sens. Rev., 16 (3), 38 (1996)
  2. M.R. Murti, B. Grietens, C. Van Hoof, G.J. Borghs. J. Appl. Phys., 78 (1), 578 (1995)
  3. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, R. Ram-Mohan. Appl. Phys. Rev., 89 (11), 5815 (2001)
  4. Л.М. Долгинов, Л.В. Дружинина, М.Г. Мильвидский, М. Мухитдинов, Э.С. Михайев, В.М. Рожков, Е.Г. Шевченко. Измер. техника, N 6, 65 (1981)
  5. А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А. Гусейнов, А.Н. Именков, А.М. Литвяк, Г.М. Филаретова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 14 (9), 845 (1988)
  6. А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, Е.А. Сидоренкова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 15 (18), 71 (1989)
  7. А. Андаспаева, А.Н. Баронов, Е.А. Гребенщикова, А.А. Гусейнов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Г.М. Филаретова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 23 (8), 1373 (1989)
  8. А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А.А. Гусейнов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24 (10), 1708 (1990)
  9. Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. ФТП, 22 (8), 1381 (1988)
  10. P.T. Landsberg, A.R. Beattie. J. Phys. Chem. Sol., 8 (1), 73 (1959)
  11. A.R. Beattie, P.T. Landsberg. Proc. Roy. Soc. (London), 249 (256), 16 (1959)
  12. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках (М., 1964) с. 392
  13. А.А. Андаспаева, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, А.А. Попов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 19 (24), 5 (1993)
  14. M. Nakao, S. Yashida, S. Gonda. Sol. St. Commun., 49, 663 (1986)
  15. А.А. Попов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23 (18), 12 (1997)
  16. А.А. Попов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23 (20), 19 (1997)
  17. А.А. Попов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 24 (2), 72 (1998)
  18. Т.Н. Данилова, Б.Е. Журтанов, А.Л. Закгейм, Н.Д. Ильинская, А.Н. Именков, О.Н. Сараев, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (2), 239 (1999)
  19. Б.Е. Журтанов, Э.В. Иванов, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, А.Е. Розов, Н. Стоянов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 27 (5), 1 (2001)
  20. A. Krier, H.H. Gao, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 3117 (1999)
  21. Н.Д. Стоянов, Б.Е. Журтанов, А.П. Астахова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (8), 996 (2003)
  22. Т.И. Воронина, Б.Е. Журтанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 32 (3), 278 (1998)
  23. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, В.Р. Ларионов, Л.Т. Чичуа. Письма ЖТФ, 2 (23), 1066 (1976)
  24. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, В.Р. Ларионов, В.М. Марахонов, Е.К. Смирнова, Г.Н. Шелованова. ЖТФ, 45 (2), 374 (1975)
  25. Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, В.Р. Ларионов, В.Д. Румянцев. ФТП, 9 (7), 1265 (1975)
  26. В.Б. Халфин, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк. ФТП, 10 (8), 1490 (1976)
  27. Ж.И. Алферов, В.Г. Агафонов, Д.З. Гарбузов, Н.Ю. Давидюк, В.Р. Ларионов, В.Б. Халфин. ФТП, 10 (8), 1497 (1976)
  28. I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T.J. Gmitter, A. Scherer. Appl. Phys. Lett., 63 (16), 2174 (1993)
  29. R. Windisch, P. Heremans, A. Knobloc, P. Kiesel, G.H. Dohler, B. Dutta, G. Borghs. Appl. Phys. Lett., 74 (16), 2256 (1999)
  30. Е.А. Гребенщикова, А.Н. Именков, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, А.В. Черняев, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 37 (12), 1465 (2003)
  31. Е.А. Гребенщикова, А.Н. Именков, Б.Е. Журтанов, Т.Н. Данилова, М.А. Сиповская, Н.В. Власенко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 38 (6), 745 (2004)
  32. О. Маделунг. Физика полупроводниковых соединений элементов III и IV групп (М., Мир, 1967).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme