Вышедшие номера
Ловушки для электронов в тонких слоях низкотемпературного арсенида галлия с наноразмерными кластерами As-Sb
Брунков П.Н.1, Гуткин А.А.1, Чалдышев В.В.1, Берт Н.Н.1, Конников С.Г.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 1 января 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

С помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней проведены исследования электронных ловушек в слоях низкотемпературного GaAs толщиной ~40 нм, содержащих наноразмерные кластеры As-Sb. Проведение измерений при различных напряжениях смещения и небольших величинах заполняющего импульса позволило выявить две группы ловушек T1 и T2 с заметно различающимися скоростями термической эмиссии электронов. Показано, что плотность ловушек T2 (энергия активации 0.56±0.04 эВ, сечение захвата электронов 2·10-13-10-12 см2) составляет ~2·1012 см-2, тогда как плотность ловушек T1 (энергия активации 0.44±0.02 эВ, сечение захвата электронов 2·10-14-10-13 см2) - на порядок ниже. Предполагается, что в соответствии с существованием двух групп кластеров, наблюдавшихся в исследуемых слоях, ловушки T2 связаны с кластерами с диаметром 4-7 нм, тогда как ловушки T1 - с группой крупных кластеров с диаметром до ~20 нм.