С помощью нестационарной спектроскопии глубоких уровней проведены исследования электронных ловушек в слоях низкотемпературного GaAs толщиной ~40 нм, содержащих наноразмерные кластеры As-Sb. Проведение измерений при различных напряжениях смещения и небольших величинах заполняющего импульса позволило выявить две группы ловушек T1 и T2 с заметно различающимися скоростями термической эмиссии электронов. Показано, что плотность ловушек T2 (энергия активации 0.56±0.04 эВ, сечение захвата электронов 2·10^-13-10^-12 см²) составляет ~2·10¹² см^-2, тогда как плотность ловушек T1 (энергия активации 0.44±0.02 эВ, сечение захвата электронов 2·10^-14-10^-13 см²) - на порядок ниже. Предполагается, что в соответствии с существованием двух групп кластеров, наблюдавшихся в исследуемых слоях, ловушки T2 связаны с кластерами с диаметром 4-7 нм, тогда как ловушки T1 - с группой крупных кластеров с диаметром до ~20 нм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.