Вышедшие номера
Исследование свойств Hg1-x-y-zCdxMnyZnzTe как нового материала оптоэлектроники для инфракрасного диапазона
Горбатюк И.Н.1, Остапов С.Э.1, Дремлюженко С.Г.1, Заплитный Р.А.1, Фодчук И.М.1, Жихаревич В.В.1, Дейбук В.Г.1, Попенко Н.А.2, Иванченко И.В.2, Жигалов А.А.2, Карелин С.Ю.2
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова НАН Украины, Харьков, Украина
Поступила в редакцию: 7 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

Работа представляет исследования физических параметров нового пятикомпонентного полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe. Показано, что рассматриваемый материал по своим параметрам может успешно конкурировать с HgCdTe - основным материалом для фотоэлектроники в инфракрасных диапазонах 3-5 и 8-14 мкм.