Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование свойств Hg_1-x-y-zCd_xMn_yZn_zTe как нового материала оптоэлектроники для инфракрасного диапазона

Горбатюк И.Н.¹, Остапов С.Э.¹, Дремлюженко С.Г.¹, Заплитный Р.А.¹, Фодчук И.М.¹, Жихаревич В.В.¹, Дейбук В.Г.¹, Попенко Н.А.², Иванченко И.В.², Жигалов А.А.², Карелин С.Ю.²

¹Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина Fed’kovich Chernovtsy National University, Chernovtsy, Ukraine

²Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова НАН Украины, Харьков, Украина Usikov Institute of Radio Physics and Electronics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kharkiv, Ukraine

Usikov Institute of Radio Physics and Electronics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kharkiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 7 декабря 2004 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Работа представляет исследования физических параметров нового пятикомпонентного полупроводникового твердого раствора HgCdMnZnTe. Показано, что рассматриваемый материал по своим параметрам может успешно конкурировать с HgCdTe - основным материалом для фотоэлектроники в инфракрасных диапазонах 3-5 и 8-14 мкм.

R. Dornhaus, G. Nimtz. Springer Pract. Mod. Phys., 98, 119 (1983)
G. Nimtz, B. Schlicht, R. Dornhaus. Appl. Phys. Lett., 34, 490 (1979)
H.R. Vydynath. J. Electrochem. Soc., 2609 (1981)
R.F.C. Farrow, G.R. Jones, G.M. Williams et al. J. Phys. D: Appl. Phys., 12, L117 (1979)
H.M. Nitz, O. Ganschow, U. Kaiser et al. Surf. Sci., 104, 365 (1981)
W.F.H. Mickletwaite, R.F. Redden. Appl. Phys. Lett., 36, 379 (1980)
И.С. Вирт, Н.Н. Григорьев, А.В. Любченко и др. Поверхность. Физика, химия, механика, 4, 60 (1988)
I.I. Izhnin. Proc. of SPIE, 3890, 519 (1998)
A. Wall, C. Captile, A. Franciosi. J. Vac. Sci. Technol., A4, 818 (1986)
О.А. Боднарук, И.Н. Горбатюк, В.И. Каленик и др. Неорг. матер., 38, 335 (1992)
О.Г. Ланская, В.И. Каленик, Е.П. Лиленко и др. Матер. II Всес. сем. Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках" (Павлодар, 1989) ч. 1, с. 332
P.M. Bridenbaugh. Mater. Lett., 3 (7,8), 287 (1985)
R. Grangler, A. Lasbley, S. Rolland et al. J. Cryst. Growth, 88, 682 (1988)
S. Cole, A.F.W. Willonghby, M.J. Brown. Cryst. Growth, 59, 370 (1982)
А. Жигалов, С. Карелин. Вестн. Львов. ун-та, 36, 199 (2003)
W. Scott, F. Stelzer, J. Hager. J. Appl. Phys., 47, 1408 (1976)
И.Н. Горбатюк, А.В. Марков, С.Э. Остапов, И.М. Раренко. ФТП, 38, 1414 (2004)
S.M. Komirenko. Semicond. Sci. Technol., 9, 19 (1994)
И.М. Несмелова. Оптические свойства узкощелевых полупроводников (Новосибирск, Наука, 1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель