"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10472
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
219

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1996 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Новиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Бимберг Д.
Institute f
6
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Тихонов С.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Корсунская Н.Е.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Теруков Е.И.
Физико-технический институт Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крестников И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кудоярова В.Х.
Физико-техничекий институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Алексеева Г.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Константинов П.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Прошин В.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Меркулов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Соболев Н.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Калитеевский М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гулямов Г.
Наманганский индустриально-технологический институт, Наманган, Узбекистан
3
Foxon C.T.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Cheng T.S.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Руссу Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Салихов Х.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мередов М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Язлыева А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Расулов Р.Я.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
3
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Маркевич И.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Шейнкман М.К.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Челноков В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коньков О.И.
Физико-технический институт Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Онопко Д.Е.
Всероссийский научный центр ''ГОИ им. С.И. Вавилова'', Санкт-Петербург, Россия
3
Рыскин А.И.
Всероссийский научный центр ''ГОИ им. С.И. Вавилова'', Санкт-Петербург, Россия
3
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хашимов Г.Х.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2
Холиддинов Х.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2
Лунев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Витман Р.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Третьяков В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Онаркулов К.Э.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шубина Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Феклисова О.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Ярыкин Н.А.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Родина А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Романов О.В.
Научно-исследовательский институт физики, Петродворец, Россия
2
Курова И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Шаховцова С.И.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Насрединов Ф.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Серегин П.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Захарченя Б.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шек Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Крещук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гарнык В.С.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шепельский Г.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Саидов А.С.
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Холоднов В.А.
Государственный научный центр НПО ''Орион'', Москва, Россия
2
Данишевский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рогачев А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмидт Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кавокин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белогорохов А.И.
Государственный институт редких металлов, Москва, Россия
2
Маркевич В.П.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Мурин Л.И.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Дмитриев С.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ершов О.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Быковский В.А.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Белоруссия
2
Утенко В.И.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Белоруссия
2
Шох В.Ф.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Белоруссия
2
Жмерик В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бреслер М.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гусев О.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Дроздов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кипшидзе Г.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шаронова Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Джумаев Б.Р.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Александров О.В.
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2
Саидов М.С.
Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан Научно-производственное объединение ''Физика солнца'' при Физико-техническом институте Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Талалакин Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кадушкин В.И.
Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
2
Шангина Е.Л.
Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
2
Косогов А.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мошегов Н.Т.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Лейдерман А.Ю.
Научно-производственное объединение ''Физика солнца'', Физико-технический институт Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Овсюк В.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Карумидзе Г.С.
Институт стабильных изотопов им. И.Г.Гвердцители, Тбилиси, Грузия
2
Карпович И.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Рувимов С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Комин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочнев И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мальцев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Полетаев Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шулекин А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Голикова О.А.
Физико-техничекий институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Казанин М.М.
Физико-техничекий институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Сингаевский А.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Коржуев М.А.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Косарев А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пацекин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Покутний С.И.
Украинский государственный морской университет, Николаев, Украина
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Тысченко И.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шаймеев С.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Глинчук К.Д.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Прохорович А.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Гуцуляк Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цыпишка Д.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вейс А.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев Э.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Паранчич С.Ю.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Свердлова А.М.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Гуриева Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Прокофьева Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Абайдулина Т.Г.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Трапезникова И.Н.
Физико-технический институт Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Гурошев В.И.
Государственное научно-производственное предприятие ''Исток'', Фрязино, Россия
2
Будагян Б.Г.
Московский институт электронной техники, Москва, Россия
2
Айвазов А.А.
Московский институт электронной техники, Москва, Россия
2
Ильяшенко И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Федоров Д.Л.
Балтийский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
де Виссер А.
Физический факультет, университет Амстердама, Нидерланды
2
Раренко И.М.
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
2
Карпов Ю.А.
Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
2
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Полисский Г.
Technical University of Munich, Physics Department E16, Garching, Germany
2
Петрова-Кох В.
Technical University of Munich, Physics Department E16, Garching, Germany
2
Караваев Г.Ф.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
1
Либерман В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Бедный Б.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Войтенко В.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет Санкт-Петербург, Россия
1
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пермогоров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гореленок А.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дженкинс Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Брандт Н.Б.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Сапега В.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Алещенко Ю.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Копылов А.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Белокурова И.Н.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
1
Махонин И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Максимова Н.М.
Институт металлургии им.А.А.Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
1
Рябушкин О.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
1
Вязовский М.В.
Педагогический университет, Волгоград, Россия
1
Водопьянов В.Н.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
1
Городецкий И.Я.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Айибжонов М.
Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан Научно-производственное объединение ''Физика солнца'' при Физико-техническом институте Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Якименко А.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Поклонский Н.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Трифоненко Д.Н.
Черновицкий государственный университет им. Ю.Федьковича, Черновцы, Украина
1
Милицын А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Цидильковский И.М.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Сорокина Н.О.
Череповецкий государственный педагогический институт им. А.В. Луначарского, Череповец, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
103
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
16
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
14
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
11
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
9
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
5
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
5
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
3
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
3
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников Национальной академии наук, Киев, Украина
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Криворожский государственный педагогический институт, Кривой Рог, Украина
2
Институт металлургии им.А.А.Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Государственный институт редких металлов, Москва, Россия
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
2
Наманганский индустриально-технологический институт, Наманган, Узбекистан
2
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2
Institute f'ur Festk'orperphysik, Technische Universit'at Berlin, Berlin, Germany
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Technical University of Munich, Physics Department E16, Garching, Germany
2
Московский институт электронной техники, Москва, Россия
2
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
2
Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете, Саратов, Россия
1
Институт молекулярной физики Российский научный центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
1
Институт электроники им.У.А.Арифова Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" Санкт-Петербург, Россия
1
Институт проблем материаловедения Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Тираспольский государственный университет, Кишинев, Молдова
1
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
1
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Республика Беларусь
1
Институт атомной энергии им. И.В.Курчатова, Москва, Россия
1
Одесский государственный университет им. И.И.Мечникова, Одесса, Украина
1
Санкт-Петербургский государственный технический университет Санкт-Петербург, Россия
1