"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9727
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
70

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1996 год:
Статья
Просмотров
Коэффициент теплопроводности карбида бора с различным содержанием изотопа 10B
28
Регистрация парамагнитных центров рекомбинации в облученных кремниевых p-n-переходах
25
Определение параметров слоистых полупроводниковых структур методом ИК отражения
19
О первичной люминесценции пористого кремния
19
Туннельная МДП структура при высокой плотности тока (режим обратного смещения)
19
Влияние gamma-облучения на свойства пористого кремния
18
Метод огибающих функций для описания электронных состояний в микроструктурах с плавным изменением потенциала на гетерограницах
18
Влияние свойств границы раздела и глубоких уровней в запрещенной зоне на вольт-фарадные характеристики МДП структур на арсениде индия
18
Оптические процессы в полупроводниковых нанокристаллитах (квантовых точках) О б з о р
18
Использование изотопов бора и облучение нейтронами для изготовления p-n-переходов в алмазных пленках
18
Электрические свойства диодных структур металл--полупроводник на основе разупорядоченных слоев GaP
17
Коэффициенты лавинного размножения носителей в p-n-структурах
17
Упругие постоянные и фононные частоты широкозонных полупроводников
17
Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в матрице GaAs
16
Оптические спектры полупроводниковых микрорезонаторов с квантовыми проводами
16
О влиянии ультразвука на отжиг радиационных дефектов в нейтронно-легированном германии
16
Захват и релаксация заряда на дефектах структуры в эпитаксиальном GaAs
16
Область генерации и усиления в резонансно-туннельных диодах
15
Радиационное дефектообразование в кристаллах Hg1- xCd xTe, облученных ионами водорода с энергией 10 МэВ
15
О магнитной восприимчивости широкозонных полупроводников
15
Статья
Просмотров
К теории рекомбинации Холла--Шокли--Рида
1289
Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах
1161
О первичной люминесценции пористого кремния
1087
Оптические процессы в полупроводниковых нанокристаллитах (квантовых точках) О б з о р
1039
Фотолюминесценция легированного оловом GaAs, выращенного жидкофазной эпитаксией из смешанного Ga--Bi растворителя
1039
Коэффициент теплопроводности карбида бора с различным содержанием изотопа 10B
1021
Аномальный эффект Шоттки на границе раздела полупроводник--диэлектрик
994
Метод огибающих функций для описания электронных состояний в микроструктурах с плавным изменением потенциала на гетерограницах
957
Увлечение электронов солитонами в сверхрешетках во внешнем магнитном поле
895
Влияние свойств границы раздела и глубоких уровней в запрещенной зоне на вольт-фарадные характеристики МДП структур на арсениде индия
889
Инжекционный гетеролазер на основе массивов вертикально связанных квантовых точек InAs в матрице GaAs
851
Метод слабой связи для расчета спектра носителей в гетероструктурах
842
Емкостная спектроскопия электронных уровней в квантовых точках InAs в матрице GaAs
842
Структурный переход сфалерит--вюрцит при изменении состава твердых растворов Zn xCd1- xSe
837
Оптические свойства монокристаллов сульфида и селенида тербия
806
Об оптической прочности зеркал высокомощных квантово-размерных лазерных диодов с раздельным ограничением, работающих в непрерывном режиме
776
Исследование пленок аморфного гидрированного нитрида кремния, полученных в плазме высокачастотного разряда
773
Модель Китинга--Харрисона для описания упругих свойств широкозонных полупроводников
762
Эффект увлечения при трехфотонном поглощении циркулярно поляризованного света в p-Ge
753
Использование изотопов бора и облучение нейтронами для изготовления p-n-переходов в алмазных пленках
745
Частотная зависимость емкости в структурах на основе пористого кремния
743
Влияние одноосной деформации на проводимость и фотопроводимость пленок PbS
739
Определение параметров слоистых полупроводниковых структур методом ИК отражения
739
Термоэдс и энергетический спектр электронов в твердом растворе (Pb 0.78Sn 0.22) 0.97In0.03Te в области прыжковой проводимости при дополнительном легировании
730
Концентрация двумерного электронного газа в селективно легированных гетероструктурах при равновесном и неравновесном заполнении примесных центров
728
Низкотемпературный пробой донорных состояний примеси сурьмы в сплавах Ge 1- xSi x
727
Захват и релаксация заряда на дефектах структуры в эпитаксиальном GaAs
724
Влияние длительного освещения на свойства компенсированного a-Si:H
722
Механизмы влияния адсорбции молекул на рекомбинационные процессы в пористом кремнии
722
Температурное изменение оптических свойств жидкой фазы при наносекундном лазерном плавлении кремния и германия
721
Глубокие центры и электролюминесценция легированных бором 4 H-SiC p-n-структур
718
Электрические потери в высокоомном кремнии с глубокими уровнями
712
Коэффициенты лавинного размножения носителей в p-n-структурах
710
Локальные электронные состояния в полупроводниковых квантовых ямах
710
Оптический диапазон излучения структур с напряженными квантовыми точками InAs в GaAs
709
Вольт-амперная характеристика короткопериодной сверхрешетки в режиме баллистического транспорта
706
Естественный фотоплеохроизм в полупроводниках О б з о р
705
Кинетика фотопроводимости в твердых растворах Pb 1- xMn xTe (In) при изменении их состава
705
О некоторых особенностях спектров отражения Cd1-xZnxTe в дальней инфракрасной области спектра
704
Двухфотонное поглощение в многоямной квантовой структуре GaAs/Ga 1-xAlxAs
702
Токи термостимулированной деполяризации в монокристаллах CaIn 2S 4
701
Влияние gamma-облучения на свойства пористого кремния
701
Полупроводниковый брэгговский отражатель с поглощающими слоями
695
Электропоглощение и лазерная генерация в диодах с квантовыми ямами ZnCdSe/ZnSeS
692
Анизотропия коэффициента Холла и электросопротивления монокристаллов Bi 2Te 2.85Se 0.15, легированных германием
691
Электрические свойства диодных структур металл--полупроводник на основе разупорядоченных слоев GaP
690
Сенсибилизированная люминесценция пористого кремния и ее поляризационные характеристики
690
Электрические и фотоэлектрические характеристики гибридной изотипной гетероструктуры p-InP-- p-InGaAs с барьером Шоттки Pd-- p-InP
689
Зонная структура и оптические свойства дифосфида цинка и кадмия в области края поглощения
685
Юбилеи и даты Нина Александровна Горюнова (к 80-летию со дня рождения)
685
Автор
Организация
Статей
Копьев П.С.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Максимов М.В.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
11
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
9
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Новиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Бимберг Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Корсунская Н.Е.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук, Киев, Украина
5
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Тихонов С.К.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Прошин В.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Крестников И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Foxon C.T.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Руссу Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Салихов Х.М.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Меркулов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Расулов Р.Я.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
3
Мередов М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Язлыева А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Челноков В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Калитеевский М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Маркевич И.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук, Киев, Украина
3
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шейнкман М.К.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук, Киев, Украина
3
Алексеева Г.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Онопко Д.Е.
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" Санкт-Петербург, Россия
3
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академи наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Баграев Н.Т.
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" Санкт-Петербург, Россия
3
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Константинов П.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Рыскин А.И.
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" Санкт-Петербург, Россия
3
Коньков О.И.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
47
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
29
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
17
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
16
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
14
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
8
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
5
Ферганский государственный университет, Фергана, Узбекистан
4
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Институт физики Академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
3
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова, Москва, Россия
2
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников Национальной академии наук, Киев, Украина
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Криворожский государственный педагогический институт, Кривой Рог, Украина
2
Институт металлургии им.А.А.Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Государственный институт редких металлов, Москва, Россия
2
Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
2
Наманганский индустриально-технологический институт, Наманган, Узбекистан
2
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Москва, Россия
2
Московский государственный университет, Москва, Россия
2
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Нижегородский государственный университет им.Н.И.Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Institute f'ur Festk'orperphysik, Technische Universit'at Berlin, Berlin, Germany
2
Technical University of Munich, Physics Department E16, Garching, Germany
2
Московский институт электронной техники, Москва, Россия
2
Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
2
Научно-исследовательский институт механики и физики при Саратовском государственном университете, Саратов, Россия
1
Институт молекулярной физики Российский научный центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Институт физики им. Х.И.Амирханова Российской академии наук, Махачкала, Россия
1
Институт электроники им.У.А.Арифова Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Россия
1
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова" Санкт-Петербург, Россия
1
Институт проблем материаловедения Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Тираспольский государственный университет, Кишинев, Молдова
1
Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
1
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
1
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
1
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов, Минск, Республика Беларусь
1
Институт атомной энергии им. И.В.Курчатова, Москва, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme