Вышедшие номера
Пленки a-Si:H, осажденные при повышенных температурах методом разложения силана на постоянном токе в магнитном поле
Голикова О.А.1, Кузнецов А.Н.1, Кудоярова В.Х.1, Казанин М.М.1
1Физико-техничекий институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

Метод разложения силана на постоянном токе в магнитом поле впервые испытан для получения пленок нелегированного a-Si:H при температурах осаждения 300/400oC. Показано, что оптимизация параметров процесса позволяет получить материал приборного качества с содержанием водорода до 2 ат%. Примененный метод обеспечивает варьирование значения микроструктурного параметра R, характеризующего соотношение SiH- и SH2-связей, в интервале 0-1.0.