"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства твердых растворов Pb 1- xGe xTe<Ga,Yb>
Выграненко Ю.К.1, Слынько Е.И.1
1Черновицкое отделение Института проблем материаловедения Национальной академии наук Украины, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 1 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

В твердом растворе Pb1-xGexTe (x=0.06), легированном одновременно примесями Ga (0.3 ат%) и Yb (0.5/1 ат%), обнаружены диэлектрическое состояние и остаточная фотопроводимость. Экспериментально исследованы кинетические свойства и спектральные характеристики фотопроводимости монокристаллов. Результаты объясняются на основе модели, описывающей престройку глубокого центра в конфигурационном пространстве.
  • Б.А. Акимов, А.В. Албул, И.И. Иванчик, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов. ФТП, 27, 351 (1993)
  • Ю.К. Выграненко, В.Е. Слынько, Е.И. Слынько. Изв. РАН. Неорг. матер., 31, 1338 (1995)
  • Б.А. Акимов, А.В. Албул, В.Ю. Ильин, М.Ю. Некрасов, Л.И. Рябова. ФТП, 29, 2015 (1995)
  • А.И. Белогорохов, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов. Письма ЖТФ, 18, 30 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.