Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрические свойства твердых растворов Pb 1- xGe xTe<Ga,Yb>
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 1 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.
В твердом растворе Pb1-xGexTe (x=0.06), легированном одновременно примесями Ga (0.3 ат%) и Yb (0.5/1 ат%), обнаружены диэлектрическое состояние и остаточная фотопроводимость. Экспериментально исследованы кинетические свойства и спектральные характеристики фотопроводимости монокристаллов. Результаты объясняются на основе модели, описывающей престройку глубокого центра в конфигурационном пространстве.
- Б.А. Акимов, А.В. Албул, И.И. Иванчик, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов. ФТП, 27, 351 (1993)
- Ю.К. Выграненко, В.Е. Слынько, Е.И. Слынько. Изв. РАН. Неорг. матер., 31, 1338 (1995)
- Б.А. Акимов, А.В. Албул, В.Ю. Ильин, М.Ю. Некрасов, Л.И. Рябова. ФТП, 29, 2015 (1995)
- А.И. Белогорохов, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов. Письма ЖТФ, 18, 30 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
