"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические свойства твердых растворов Pb 1- xGe xTe<Ga,Yb>
Выграненко Ю.К.1, Слынько Е.И.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 1 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

В твердом растворе Pb1-xGexTe (x=0.06), легированном одновременно примесями Ga (0.3 ат%) и Yb (0.5/1 ат%), обнаружены диэлектрическое состояние и остаточная фотопроводимость. Экспериментально исследованы кинетические свойства и спектральные характеристики фотопроводимости монокристаллов. Результаты объясняются на основе модели, описывающей престройку глубокого центра в конфигурационном пространстве.
  1. Б.А. Акимов, А.В. Албул, И.И. Иванчик, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов. ФТП, 27, 351 (1993)
  2. Ю.К. Выграненко, В.Е. Слынько, Е.И. Слынько. Изв. РАН. Неорг. матер., 31, 1338 (1995)
  3. Б.А. Акимов, А.В. Албул, В.Ю. Ильин, М.Ю. Некрасов, Л.И. Рябова. ФТП, 29, 2015 (1995)
  4. А.И. Белогорохов, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов. Письма ЖТФ, 18, 30 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.