"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Теплопроводность эвтектик InSb--NiSb и GaSb--V 2Ga 5, полученных при различных скоростях роста
Алиев М.И.1, Исаков Г.И.1, Исаева Э.А.1, Алиев И.М.1
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 16 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

Исследованы теплопроводности эвтектик InSb--NiSb и GaSb--V2Ga5, полученных при различных скоростях кристаллизации (V=0.85-70 см/ч), в интервале температур 80--300 K. Обнаружено уменьшение коэффициента теплопроводности varkappa и усиление коэффициента анизотропии varkappa с ростом V, что объясняется рассеянием фононов на границах металлических включений.
  • H. Wagini, H. Weiss. Sol. St. Electron., 8, 241 (1965)
  • M.I. Aliev, S.G. Abdinova, S.A. Aliev. Phys. St. Sol. (a), 9, K57 (1972)
  • М.И. Алиев, Г.И. Исаков, А.Т. Эминзаде. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 25, 926 (1989)
  • H. Weiss, M. Wilhelm. Z. Phys., 176, 399 (1963)
  • A. Muller, M. Wilhelm. J. Phys. Chem. Sol., 28, 219 (1967)
  • А.И. Сомов, М.А. Михановский. \it Эвтектические композиции (М., Металлургия, 1975)
  • W.K. Liebman, E.A. Miller. J. Appl. Phys., 34, 2653 (1963)
  • Б.И. Оделевский. ЖЭТФ, 21, 667 (1951)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.