"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Теплопроводность эвтектик InSb--NiSb и GaSb--V 2Ga 5, полученных при различных скоростях роста
Алиев М.И.1, Исаков Г.И.1, Исаева Э.А.1, Алиев И.М.1
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 16 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

Исследованы теплопроводности эвтектик InSb--NiSb и GaSb--V2Ga5, полученных при различных скоростях кристаллизации (V=0.85-70 см/ч), в интервале температур 80--300 K. Обнаружено уменьшение коэффициента теплопроводности varkappa и усиление коэффициента анизотропии varkappa с ростом V, что объясняется рассеянием фононов на границах металлических включений.
  1. H. Wagini, H. Weiss. Sol. St. Electron., 8, 241 (1965)
  2. M.I. Aliev, S.G. Abdinova, S.A. Aliev. Phys. St. Sol. (a), 9, K57 (1972)
  3. М.И. Алиев, Г.И. Исаков, А.Т. Эминзаде. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 25, 926 (1989)
  4. H. Weiss, M. Wilhelm. Z. Phys., 176, 399 (1963)
  5. A. Muller, M. Wilhelm. J. Phys. Chem. Sol., 28, 219 (1967)
  6. А.И. Сомов, М.А. Михановский. \it Эвтектические композиции (М., Металлургия, 1975)
  7. W.K. Liebman, E.A. Miller. J. Appl. Phys., 34, 2653 (1963)
  8. Б.И. Оделевский. ЖЭТФ, 21, 667 (1951)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.