"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование профиля фоточувствительности в объемных монокристаллах CdS под действием внешнего электрического поля
Кислюк В.В.1, Корсунская Н.Е.1, Маркевич И.В.1, Пекарь Г.С.1, Сингаевский А.Ф.1, Шейнкман М.К.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 10 января 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

Предложен метод формирования распределения фотосопротивления в монокристалле CdS под действием внешнего электрического поля (E<=102 В/см). Метод позволяет контролировать ширину области, ''очищенной от подвижных донорных дефектов''.
  1. \it Физика и химия соединений A^2B^6, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
  2. В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. P-T-x \it диаграммы состояния систем металл--халькогенид (М., наука, 1987)
  3. L.I. Khandros, G.S. Pekar, M.K. Sheinkman, E.L. Shtrum. Phys. St. Sol. (a), 33, 765 (1976)
  4. И.В. Ермолович, В.В. Горбунов, И.Д. Конозенко. ФТП, 11, 1812 (1977)
  5. М.С. Бродин, И.Я. Городецкий, Н.Е. Корсунская, И.Ю. Шаблий. УФЖ, 24, 1539 (1979)
  6. В.Е. Лошкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. \it Неравновесные процессы в фотопроводниках (К., Наук. думка, 1981)
  7. L.I. Khandros, G.S. Pekar, M.K. Sheinkman, E.L. Shtrum. Phys. St. Sol. (a), 34, 397 (1976)
  8. И.В. Акимова, В.И. Козловский, Ю.В. Коростелин. Тр. ФИАН, 177, 142 (1987)
  9. Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, И.Ю. Шаблий, М.К. Шейнкман, ФТП, 15, 279 (1981)
  10. Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, Т.В. Торчинская, М.К. Шейнкман. ФТП, 13, 435 (1979)
  11. О.В. Игнатов, В.В. Сердюк. УФЖ, 20, 642 (1975)
  12. И.А. Дроздова, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич. ФТП, 28, 353 (1994)
  13. N.V. Klimova, N.E. Korsunskaya, I.V. Markevich, G.S. Pekar, A.F. Singaevsky. Mater. Sci. Engin. B, 34, 12 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.