Формирование профиля фоточувствительности в объемных монокристаллах CdS под действием внешнего электрического поля
Кислюк В.В.1, Корсунская Н.Е.1, Маркевич И.В.1, Пекарь Г.С.1, Сингаевский А.Ф.1, Шейнкман М.К.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 10 января 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.
Предложен метод формирования распределения фотосопротивления в монокристалле CdS под действием внешнего электрического поля (E<=102 В/см). Метод позволяет контролировать ширину области, ''очищенной от подвижных донорных дефектов''.
- \it Физика и химия соединений A^2B^6, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
- В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. P-T-x \it диаграммы состояния систем металл--халькогенид (М., наука, 1987)
- L.I. Khandros, G.S. Pekar, M.K. Sheinkman, E.L. Shtrum. Phys. St. Sol. (a), 33, 765 (1976)
- И.В. Ермолович, В.В. Горбунов, И.Д. Конозенко. ФТП, 11, 1812 (1977)
- М.С. Бродин, И.Я. Городецкий, Н.Е. Корсунская, И.Ю. Шаблий. УФЖ, 24, 1539 (1979)
- В.Е. Лошкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. \it Неравновесные процессы в фотопроводниках (К., Наук. думка, 1981)
- L.I. Khandros, G.S. Pekar, M.K. Sheinkman, E.L. Shtrum. Phys. St. Sol. (a), 34, 397 (1976)
- И.В. Акимова, В.И. Козловский, Ю.В. Коростелин. Тр. ФИАН, 177, 142 (1987)
- Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, И.Ю. Шаблий, М.К. Шейнкман, ФТП, 15, 279 (1981)
- Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, Т.В. Торчинская, М.К. Шейнкман. ФТП, 13, 435 (1979)
- О.В. Игнатов, В.В. Сердюк. УФЖ, 20, 642 (1975)
- И.А. Дроздова, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич. ФТП, 28, 353 (1994)
- N.V. Klimova, N.E. Korsunskaya, I.V. Markevich, G.S. Pekar, A.F. Singaevsky. Mater. Sci. Engin. B, 34, 12 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.