"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние положения уровня Ферми на радиационную стойкость компенсированного кремния
Гарнык В.С.1
1Институт металлургии им.А.А.Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 января 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

В работе показано, что вводя активные центры донорного типа (например, термодоноры) в p-кремний, можно добиться такого положения уровня Ферми, при котором появляющиеся в результате облучения быстрыми электронами радиационные дефекты не будут оказывать влияния на концентрацию носителей заряда.
  1. И.Н. Белокурова, В.С. Гарнык. Неорг. матер., 29, 1691 (1993)
  2. Л.П. Павлов. \it Методы измерения параметров полупроводниковых материалов (М., Высш. шк., 1987)
  3. Т.В. Машовец. ФТП, 16, 3 (1982)
  4. П.С. Киреев. Физика полупроводников (М., Высш. шк., 1969)
  5. В.С. Вавилов, С.И. Винтовкин, А.С. Лютович, А.Ф. Плотников, А.А. Соколова. ФТТ, 7, 502 (1965)
  6. G.P. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 121, 1001 (1961)
  7. J.D. Konozenko, A.K. Semenyuk, V.J. Khivrich. Phys. St. Sol., 35, 1043 (1969)
  8. J. Mandelkorn. Патент США, кл. 585--476, N 3. 390.020 (1968)
  9. Л.А. Гончаров, Т.Н. Достходжаев, В.В. Емцев, Т.В. Машовец, С.М. Рывкин. А.с. СССР, N 593345, МКИ С30В 29/08 (1976)
  10. З.В. Башелеишвили, В.С. Гарнык, С.Н. Горин, Т.А. Пагава. ФТП, 18, 1714 (1984)
  11. В.С. Гарнык, З.В. Башелеишвили. ФТП, 24, 1485 (1990)
  12. В.С. Гарнык. ФТП, 28, 228 (1994)
  13. В.С. Гарнык. Электрон. техн. сер. 10. Микроэлектронные устройства (М. ЦНИИ "Электроника"), вып. 3(81), 19 (1990)
  14. В.С. Гарнык. Измер. техника, вып. 1, 61 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.