"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Ориентационная зависимость свойств поверхностных анодных окислов на Cd xHg1- xTe
Средин В.Г.1, Ланская О.Г.1, Поповнин В.М.1
1Военная академия им.Ф.Э.Дзержинского, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Проведены исследования кристаллографической ориентации поверхности монокристаллов CdxHg1-xTe с 0.21=< x=<0.25 на свойства структур металл--анодный окисел--полупроводник. Обнаружены различия в скорости роста окисла, а также плотности встроенного в окисел заряда для различных ориентаций поверхности.
  1. А.В. Войцеховский, В.Н. Давыдов. \it Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников (Томск, Радио и связь, 1990)
  2. G. Cinader, A. Raizman, A. Sher. J. Vac. Sci. Technol. B,9, 1634 (1991)
  3. R. Korenstain, P. Hallock, B. Macleod, W. Hoke, S. Oguz. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1039 (1990)
  4. L.L. Chang. Sol. St. Electron., 10, 69 (1967)
  5. \it Физика и химия соединений A^IIB^VI, под ред. М. Авена, Дж.С. Пренера (М., Мир, 1970) с. 115

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.