Ориентационная зависимость свойств поверхностных анодных окислов на Cd xHg1- xTe
Средин В.Г.1, Ланская О.Г.1, Поповнин В.М.1
1Военная академия им.Ф.Э.Дзержинского, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.
Проведены исследования кристаллографической ориентации поверхности монокристаллов CdxHg1-xTe с 0.21=< x=<0.25 на свойства структур металл-анодный окисел-полупроводник. Обнаружены различия в скорости роста окисла, а также плотности встроенного в окисел заряда для различных ориентаций поверхности.
- А.В. Войцеховский, В.Н. Давыдов. \it Фотоэлектрические МДП структуры из узкозонных полупроводников (Томск, Радио и связь, 1990)
- G. Cinader, A. Raizman, A. Sher. J. Vac. Sci. Technol. B,9, 1634 (1991)
- R. Korenstain, P. Hallock, B. Macleod, W. Hoke, S. Oguz. J. Vac. Sci. Technol. A, 8, 1039 (1990)
- L.L. Chang. Sol. St. Electron., 10, 69 (1967)
- \it Физика и химия соединений A^IIB^VI, под ред. М. Авена, Дж.С. Пренера (М., Мир, 1970) с. 115
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук