Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние марганца и никеля на образование структурных дефектов в кремнии

Абдурахманов К.П.¹, Витман Р.Ф.¹, Гусева Н.Б.¹, Куликов Г.С.¹, Мелех Б.Т.¹, Чичикалюк Ю.А.¹, Юсупова Ш.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 11 апреля 1995 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

С помощью рентгеновской топографии и инфракрасной микроскопии исследовано образование кислородно-кремниевых комплексов, включающих атомы Mn и Ni, в диффузионно легированном этими примесями кремнии с различным содержанием кислорода. Установлены факторы, определяющие скрость их образования: а) концентрация кислорода; б) последующая низкотемпературная обработка; в) последующая высокотемпературная обработка; г) скорость охлаждения после диффузии примесей. Изучено влияние взаимодействия примесей Mn и Ni на образование структурных дефектов при их последовательной и одновременной диффузии в кремний.

А. Милнс. \it Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., 1977)
Л.С. Берман, А.А. Лебедев. \it Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., 1981)
O.R. Carlson. Phys. Rev., 104, 937 (1956)
Р.Ф. Витман, Н.Б. Гусева, А.А. Лебедев, Э.С. Таптыгов. ФТП, 23, 919 (1989)
А.А. Лебедев, К.П. Абдурахманов, Р.Ф. Витман, Н.Б. Гусева, Х.С. Далиев, Ш.Б. Утамурадова. ФТП, 23, 2227 (1989)
Р.Ф. Витман, Н.Б. Гусева, А.А. Лебедев, А.А. Ситникова, Ш.Б. Утамурадова. ЖТФ, 58, 2272 (1988)
К.П. Абдурахманов, Г.С. Куликов, А.А. Лебедев, Ш.Б. Утамурадова, Ш.А. Юсупова. ФТП, 25, 1075 (1991)
Г.С. Куликов, Ю.А. Чичикалюк, Ш.А. Юсупова. ФТП, 29, 469 (1995)
C. Haas. J. Phys. Chem. Sol., 15, 108 (1960)
E.R. Weber. Appl. Phys. A, 30, 1 (1983)
Б.И. Болтакс, М.К. Бахадырханов, С.М. Городецкий, Г.С. Куликов. \it Компенсированный кремний (Л., 1972)
К.П. Абдурахманов, Р.Ф. Витман, Г.С. Куликов, Ш.Б. Утамурадова, Ш.А. Юсупова. ФТП, 28, 86 (1994)
А.А. Лебедев, К.П. Абдурахманов, Ш.Б. Утамурадова, Х.С. Далиев, Р.Ф. Витман, Н.А. Султанов. В кн.: \it Свойства легированных полупроводниковых материалов (М., 1990)
О. Кубашевский, С.Б. Олкокк. \it Металлургическая термохимия (М., 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель