"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Туннельно-инжекционный лазер на основе разъединенного одиночного гетероперехода II типа p-GaInAsSb/ p-InAs
Моисеев К.Д.1, Михайлова М.П.1, Ершов О.Г.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.

Предложен новый физический подход к созданию полупроводниковой лазерной структуры для среднего ИК диапазона, в которой используется туннельная инжекция носителей через гетерограницу II типа в разъединенном изотипном гетеропереходе p-GaInAsSb/p-InAs. Исследованы спонтанная и когерентная эмиссия в такой лазерной структуре. Была получена одномодовая генерация в импульсном режиме на длине волны lambda=3.26 мкм при плотности порогового тока Jth=2 kA/см2 (T=77 K). Пороговый ток экспоненциально зависел от температуры, Ith=I0exp (T/T0), при этом в интервале температур 77--120 K было получено высокое значение характеристической температуры T0=30-60 K.
  1. М.П. Михайлова, Г.Г. Зегря, К.Д. Моисеев, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 28, 687 (1994)
  2. М.П. Михайлова, И.А. Андреев, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 28, 687 (1994)
  3. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett., 64, 2480 (1994)
  4. G.G. Zegrya, A.D. Andreev. Appl. Phys. Lett. 67, 2681 (1995)
  5. Б.Л. Гельмонт, З.Н. Соколова, И.Н. Яссиевич. ФТП, 16, 592 (1982)
  6. А.Б. Андаспаева, А.Н. Баранов, Г.Г. Зегря, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев, С.Г. Ястребов. ФТП, 25, 394 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.