Предложен новый физический подход к созданию полупроводниковой лазерной структуры для среднего ИК диапазона, в которой используется туннельная инжекция носителей через гетерограницу II типа в разъединенном изотипном гетеропереходе p-GaInAsSb/p-InAs. Исследованы спонтанная и когерентная эмиссия в такой лазерной структуре. Была получена одномодовая генерация в импульсном режиме на длине волны lambda=3.26 мкм при плотности порогового тока J_th=2 kA/см² (T=77 K). Пороговый ток экспоненциально зависел от температуры, I_th=I₀exp (T/T₀), при этом в интервале температур 77-120 K было получено высокое значение характеристической температуры T₀=30-60 K.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.