Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Частотная зависимость емкости в структурах на основе пористого кремния
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 14 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.
Обнаружен эффект низкочастотной дисперсии емкости структур из пористого кремния. Показано, что эффект обусловлен особенностью релаксации заряда в двумерных проводящих нанокристаллитах, из которых состоят исследуемые образцы пористого кремния.
- A. Shik. J. Phys.: Cond. Matter., 4, 1335 (1992)
- Н.С. Аверкиев, А.Я. Шик. ФТП, 30, 199 (1996)
- А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 27, 1846 (1993)
- С.В. Белов, О.А. Зайцев, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 21, вып. 3, 30 (1995)
- Э.А. Лебедев, Г. Полисский, В. Петрова-Кох, Э.А. Сморгонская. \it Тезисы докладов 2-й Российской конференции по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996) т. 2, с.120
- M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch, W. Schirmacher, M. Eberhard. Phys. Rev. B, 51, 2199 (1995)
- Л.С. Берман, А.А. Лебедев. \it Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
- C.T. Sah, V.G.K. Reddi. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-11, 345 (1964)
- В.И. Перель, А.Л. Эфрос. ФТП, 1, 1693 (1967)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
