Детально проанализировано, как влияет значение концентрации рекомбинационных центров N на процесс генерации-рекомбинации Холла-Шокли-Рида. Рассмотрено слабое отклонение полупроводника от состояния термодинамического равновесия. Показано, что в концентрационных зависимостях времен жизни неравновесных электронов tau_n(N) и дырок tau_p(N), в целом падающих с увеличением N, при определенных условиях может быть и участок роста на несколько порядков. Проведено аналитическое решение задачи на экстремум функций tau_n(N) и tau_p(N). Исследованы зависимости положений экстремумов и значений этих функций в экстремальных точках от концентрации мелкой легирующей примеси N_D, энергии рекомбинационного уровня E_t, отношения вероятностей захвата дырки и электрона на него theta, энергии запрещенной зоны полупроводника E_g, а также от температуры T. Дано подробное физическое толкование полученных результатов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.