"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Аномальный эффект Шоттки на границе раздела полупроводник--диэлектрик
Дмитриев С.Г.1, Маркин Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 6 сентября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Рассмотрена сруктура потенциала, индуцированного дипольными (или заряженными) ''пятнами'' на неоднородной границе раздела полупроводник--диэлектрик. Показано, что возникающие при этом потенциальные ямы глубиной 0.1/1 эВ могут служить эффективными ловушками для электронов и ионов, а эмиссия частиц из таких ям характеризуется сильной полевой зависимостью --- аномальным эффектом Шоттки. Форма этой зависимости определяется видом потенциала над эмиссионно-активными пятнами.
  1. Л.Н. Добрецов, М.В. Гомоюнова. \it Эмиссионная электроника (М, 1966)
  2. С.Г. Дмитриев. ЖТФ, N 6, 1232 (1982)
  3. С.Г. Дмитриев. Изв. АН СССР. Сер. физ., 46, 1320 (1982)
  4. J.P. Sullivan, R.T. Tung, M.R. Pinto, W.R. Gradam. J. Appl. Phys., 70, 7403 (1991)
  5. R.T. Tung. Phys. Rev. B, 45, 13509 (1992)
  6. J.P. Stagg, M.R. Boudry. J. Appl. Phys., 52, 885 (1981)
  7. G. Greeuw, J.F. Verwey. Sol. St. Electron., 28, 509 (1985)
  8. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. \it Теория поля (М., Наука,1973)
  9. \it Таблицы физический величин. Справочник под ред. И.К. Кикоина, (М., Наука, 1976)
  10. P. Perfetti, C. Quaresima, C. Coluzza, C. Fortunato, G. Margaritondo. Phys. Rev. Lett., 57, 2065 (1986)
  11. \it VLSI Electronics Microstructure Science, ed. by N.G. Einspruch (Academic Press, 1985) vol. 10
  12. С.Г. Дмитриев, Ш.М. Коган. ФТТ, 21, 29 (1979)
  13. В.В. Аполлонов, А.И. Барчуков, Н.В. Карлов, А.М. Прохоров, Э.М. Шефтер. Квант. электрон., 2, 380 (1975)
  14. С.В. Винценц, С.Г. Дмитриев. Письма ЖТФ, 21, 1 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.