Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Экспериментальное моделирование неоднородной по площади поверхностной генерации носителей заряда в МДП структурах

Мосейчук А.Г.¹

¹Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 22 мая 1995 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

PDF версия

Были измерены неравновесные вольт-фарадные характеристики глубокого обеднения модельных МДП структур при комнатной температуре. Для этих целей была специально подготовлена пластина n-Si-SiO₂ со ступенчатым по площади распределением плотности поверхностных состояний. Для моделирования неоднородной МДП структуры был использован сканирующий ртутный полевой электрод 1.5 мм диаметром. Под полевым электродом модельной МДП структуры имелось два участка с различной (5· 10¹⁰ и 3.6·10¹¹ см^-2· В^-1) плотностью поверхностных состояний. Когда площадь участка с высокой плотностью состояний составляла 0.3-28% от площади электрода модельной МДП структуры, на C-V-кривых глубокого обеднения наблюдались аномалии. Обсуждается эмпирическая модель неоднородной поверхностной генерации неосновных носителей в МДП структурах.

И.Г. Михайловский, В.Н. Овсюк, А.Е. Эпов. Письма ЖТФ, 9, 1051 (1983)
О.В. Фролов, А.Е. Руденко. Микроэлектроника, 10, 552 (1981)
Н.А. Абрамова, А.Г. Мосейчук, Г.Б. Семушкин. Proc XXVI \it Int. Wiss. Koll., TH Ilmenau, GDR, 29 (1981)
В.А. Гуртов, М.В. Золотов. ФТП, 19, 2127 (1985)
А.Э. Бендер, А.Г. Мосейчук, Г.Б. Семушкин. Электрон. техн., сер. 6, Материалы, вып. 4(280), 59 (1988)
В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, Е.Г. Сальман. \it Строение и свойства структур Si-SiO₂ (Новосибирск, 1981)
R.S. Nakhmanson, P.P. Dobrovolskij. Phys. St. Sol. (a), 19, 699 (1972)
E.H. Nicollian, J.R. Brews. \it MOS (Metal--Oxide--Semiconductor). Physics and Technology (N.Y., 1982)
L.S. Wei, J.G. Simmons. Sol. St. Electron., 17, 1021 (1974)
А.П. Горбань, А.Г. Мосейчук, Г.Б. Семушкин. Изв. вузов СССР. Физика, N 7, 107 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель