"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Некоторые характеристики индуцированных радиационно-термическим воздействием пар As iZnGa в p-GaAs(Zn)
Глинчук К.Д.1, Гурошев В.И.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 5 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Изучено влияние низкотемпературного (T=77 K) электронного облучения (Phi = 1· 1016 электрон/см2) и последующих отжигов (T=80-500 K) кристаллов p-GaAs(Zn) на образование и аннигиляцию пар AsiZn Ga. Показано, что эффективная генерация пар AsiZn Ga наблюдается в температурном интервале 20--225oC. Анализ кинетики образования и аннигиляции пар AsiZn Ga позволил определить коэффициент диффузии радиационно-стимулированных межузельных атомов мышьяка D [D~= 10-17 см2/с при 20oC, D~ exp(-0.45/kT) при 20--100oC], энергию активации процесса из диффузии varepsilonm=0.45 эВ, энергию связи между компонентами пар AsiZn Ga varepsilonb=0.55 эВ, а также энергию диссоциации последних varepsilond=1.0 эВ.
  • K.D. Glinchuk, V.I. Guroshev, A.V. Prokhorovich. Cryst. Res. Technol., 21, 811 (1986)
  • К.Д. Глинчук. Н.С. Заяц, А.В. Прохорович. ФТП, 23, 657 (1989)
  • К.Д. Глинчук. В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. ФТП, 25, 82 (1991)
  • D. Stievenard, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., 59, 743 (1986)
  • L. Murray, R.C. Newman, J. Woodhead. Semicond. Sci. Technol., 2, 399 (1987)
  • J.D. Collins, G.A. Gledhill, R. Murray, R.C. Newman. Phys. St. Sol. B, 151, 469 (1989)
  • Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., 1969)
  • Н.Б. Херней. Химия твердого тела (М., 1971)
  • A. Ourmazd, W. Schroter. J. Appl. Phys., 56, 1670 (1984)
  • T. Zundel, J. Weber. Phys. Rev. B, 39, 549 (1989)
  • D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)
  • D. Stievenard, X. Boddaert, J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben. Phys. Rev. B, 41, 5271 (1990)
  • R. Jonest, S. Oberg. Semicond. Sci. Technol., 7, 429 (1992)
  • R. Jonest, S. Oberg. Semicond. Sci. Technol., 7, 855 (1992)
  • В.В. Емцев, Т.В. Машовец. \it Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., 1981)
  • К.Д. Глинчук, К. Лукат, А.В. Прохорович. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 1, 39 (1982)
  • G. Dlubek, R. Krause. Phys. St. Sol. A, 102 443 (1987)
  • J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard. Phys. St. Sol. A, 102, 499 (1987)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.