"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Некоторые характеристики индуцированных радиационно-термическим воздействием пар As iZnGa в p-GaAs(Zn)
Глинчук К.Д.1, Гурошев В.И.1, Прохорович А.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 5 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Изучено влияние низкотемпературного (T=77 K) электронного облучения (Phi = 1· 1016 электрон/см2) и последующих отжигов (T=80-500 K) кристаллов p-GaAs(Zn) на образование и аннигиляцию пар AsiZn Ga. Показано, что эффективная генерация пар AsiZn Ga наблюдается в температурном интервале 20--225oC. Анализ кинетики образования и аннигиляции пар AsiZn Ga позволил определить коэффициент диффузии радиационно-стимулированных межузельных атомов мышьяка D [D~= 10-17 см2/с при 20oC, D~ exp(-0.45/kT) при 20--100oC], энергию активации процесса из диффузии varepsilonm=0.45 эВ, энергию связи между компонентами пар AsiZn Ga varepsilonb=0.55 эВ, а также энергию диссоциации последних varepsilond=1.0 эВ.
  1. K.D. Glinchuk, V.I. Guroshev, A.V. Prokhorovich. Cryst. Res. Technol., 21, 811 (1986)
  2. К.Д. Глинчук. Н.С. Заяц, А.В. Прохорович. ФТП, 23, 657 (1989)
  3. К.Д. Глинчук. В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. ФТП, 25, 82 (1991)
  4. D. Stievenard, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., 59, 743 (1986)
  5. L. Murray, R.C. Newman, J. Woodhead. Semicond. Sci. Technol., 2, 399 (1987)
  6. J.D. Collins, G.A. Gledhill, R. Murray, R.C. Newman. Phys. St. Sol. B, 151, 469 (1989)
  7. Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., 1969)
  8. Н.Б. Херней. Химия твердого тела (М., 1971)
  9. A. Ourmazd, W. Schroter. J. Appl. Phys., 56, 1670 (1984)
  10. T. Zundel, J. Weber. Phys. Rev. B, 39, 549 (1989)
  11. D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)
  12. D. Stievenard, X. Boddaert, J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben. Phys. Rev. B, 41, 5271 (1990)
  13. R. Jonest, S. Oberg. Semicond. Sci. Technol., 7, 429 (1992)
  14. R. Jonest, S. Oberg. Semicond. Sci. Technol., 7, 855 (1992)
  15. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. \it Примеси и точечные дефекты в полупроводниках (М., 1981)
  16. К.Д. Глинчук, К. Лукат, А.В. Прохорович. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 1, 39 (1982)
  17. G. Dlubek, R. Krause. Phys. St. Sol. A, 102 443 (1987)
  18. J.C. Bourgoin, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard. Phys. St. Sol. A, 102, 499 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.