"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10577
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
76
Распределение количества просмотров по годам:
580583
544920
527826
472013
407886
391905
361795
321383
394889
500594
495581
452965
452442
460383
444096
458827
479369
488194
427723
455314
426271
547069
557729
549565
523328
567609
571024
549528
522469
481345
380722
277451
152793
61674
2446
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
953
345
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
175
159
167
148
175
163
182
187
188
227
155
217
211
213
239
253
286
242
279
274
295
249
323
261
89

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2001 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Карандашев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Талалакин Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Айдаралиев М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Георгобиани А.Н.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Неизвестный И.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Попов В.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Васильев В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Борисенко С.И.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3
Мигаль В.П.
Национальный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского ХАИ, Харьков, Украина
3
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Медведев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Певцов А.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Капитонов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Брудный В.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Аминов У.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Ястребов С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сурис Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Горбенко О.М.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Голубок А.О.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Герасимов А.Б.
Кутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, Кутаиси, Грузия
2
Чирадзе Г.Д.
Кутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, Кутаиси, Грузия
2
Клименко И.А.
Государственный аэрокосмический университет им. Н.Е. Жуковского "ХАИ", Харьков, Украина
2
Комарь В.К.
НТК "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2
Наливайко Д.П.
НТК "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2
Галиев Г.Б.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Акимов Б.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Рябова Л.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Морозова Н.К.
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
2
Гаврищук Е.М.
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
2
Глинчук К.Д.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Литовченко Н.М.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Прохорович А.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Стрильчук О.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Институт физики Университета г. Вюрцбурга, Вюрцбург, Германия
2
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Карпович И.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Морозов С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Звонков Б.Н.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Филатов Д.О.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Иванов Ю.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Крючков С.В.
Волгоградский государственный педагогический университет, Волгоград, Россия
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Казакова Л.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Приходько А.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Трапезникова И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грузинцев А.Н.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Воробьев М.О.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Ходос И.И.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Грабов В.М.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Степанов Н.П.
Забайкальский государственный педагогический университет им. Н.Г. Чернышевского, Чита, Россия
2
Мирлин Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сапега В.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козлов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Богобоящий В.В.
Кременчугский государственный политехнический институт, Кременчуг, Украина
2
Гриняев С.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Есаев Д.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Караваев Г.Ф.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Чернышов В.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Тутов Е.А.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Алфёров Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Булярский С.В.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Белогорохов А.И.
Государственный научный центр "Гиредмет", Москва, Россия
2
Лакеенков В.М.
Государственный научный центр "Гиредмет", Москва, Россия
2
Воронина Т.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лагунова Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Байдуллаева А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мозоль П.Е.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Смирнов А.Б.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Бурбаев Т.М.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Курбатов В.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Терехов В.А.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Комаров И.Н.
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
2
Матюхина Т.В.
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
2
Решетников В.И.
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
2
Руш А.А.
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
2
Фалина И.В.
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
2
Ястребов А.С.
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
2
Никифоров А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Наумова О.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Сафронов Л.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Овсюк В.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Зеленин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Корогодский М.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочнев И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лантратов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Казанин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов С.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Никольский Ю.А.
Борисоглебский государственный педагогический институт, Борисоглебск, Россия
2
Абрамов И.И.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Курдюков Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Медведкин Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Факультет технологии Токийского университета сельского хозяйства и технологии, 2-24-16 Накачо, Коганэй, Токио 18, Япония
2
Сато К.
Факультет технологии Токийского университета сельского хозяйства и технологии, 2-24-16 Накачо, Коганэй, Токио 18, Япония
2
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шубина Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вааг А.
Лаборатория физики полупроводников Университета г. Ульма, В- Ульм, Германия
2
Ландвер Г.
Институт физики Университета г. Вюрцбурга, Вюрцбург, Германия
2
Давыдов Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Богданова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Звонарева Т.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Розанов В.В.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Марков К.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Шутов С.В.
Институт физики полупроводников Херсонского отделения Национальной академии наук Украины, Херсон, Украина
1
Даунов М.И.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
1
Шугуров А.Р.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
1
Тулупенко В.Н.
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
1
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Римейка А.К.
Вильнюсский педагогический университет, L Вильнюс, Литва
1
Лапейка В.А.
Вильнюсский педагогический университет, L Вильнюс, Литва
1
Курбанов М.К.
Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
1
Матюшин В.М.
Запорожский государственный технический университет, Запорожье, Украина
1
Якименко А.Н.
Санкт-Петербурский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Журтанов Б.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Винославский М.Н.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Гаськов А.М.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Веденеев А.С.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
1
Андрейчук О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Андреев И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Моцный Ф.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Амиров Р.Х.
НИИ механики и физики Саратовского государственного университета, Саратов, Россия
1
Гольдберг Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Калинина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Завьялов Д.В.
Волгоградский государственный педагогический университет, Волгоград, Россия
1
Пикулев В.Б.
Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия
1
Сарен А.А.
Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск, Россия
1
Кардо-Сысоев А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ломаева С.Ф.
Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
1
Бардетский П.И.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Куляк И.П.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Цэндин К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Колин Н.Г.
Филиал ГНЦ НИФХИ им. Л.Я. Карпова, Обнинск, Россия
1
Свистова Т.В.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
1
Андрюков А.Ю.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
1
Маняхин Ф.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
1
Рябцев С.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
1
Lott J.A.
Air Force Institute of Technology, Department of Electrical and Computer Engineering, Wright--Patterson AFB, Ohio, USA
1
Качлишвили З.С.
Тбилисский государственный университет (Факультет физики), Тбилиси, Грузия
1
Шрёдер В.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
1
Гилинский А.М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Кузьмин М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кораблев В.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Денисов В.Н.
Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
1
Давлетова А.Ш.
Ташкентский государственный университет им. М. Улугбека, Ташкент, Узбекистан
1
Жачук Р.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Ольшанецкий Б.З.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сабинина И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Шумский В.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Колосов С.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соболев М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Крохмаль А.П.
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
1
Косяченко Л.А.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
1
Рогачев А.И.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Сорокин Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Баранов П.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гудыма Ю.В.
Черновицкий национальный университет им. Ю.Федьковича, Черновцы, Украина
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
86
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
28
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
14
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
13
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
10
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
7
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
3
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
3
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
2
Кременчугский государственный политехнический институт, Кременчуг, Украина
2
Кутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, Кутаиси, Грузия
2
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
2
НТК "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Забайкальский государственный педагогический университет им. Н.Г. Чернышевского, Чита, Россия
2
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Борисоглебский государственный педагогический институт, Борисоглебск, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
2
Волгоградский государственный педагогический университет, Волгоград, Россия
2
Институт физики Университета г. Вюрцбурга, Вюрцбург, Германия
2
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург, Россия
2
Philipps-Universitat Marburg, Marburg, Germany
2
Академия связи Украины, Одесса, Украина
1
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, Киев, Украина
1
Department of Physics, Oliver Lodge Laboratory, University of Liverpool. Oxford Street Liverpool 69 7ZE England
1
Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Республика Белоруссия
1
Институт физики полупроводников Херсонского отделения Национальной академии наук Украины, Херсон, Украина
1
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
1
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
1
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
1
Danmarks Tekniske Universitet, Microelectronics Center, III--V Nanolab, Lyngby, Denmark
1