Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Отрицательная люминесценция в диодах на основе p-InAsSbP/n-InAs

Айдаралиев М.¹, Зотова Н.В.¹, Карандашев С.А.¹, Матвеев Б.А.¹, Ременный М.А.¹, Стусь Н.М.¹, Талалакин Г.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 25 июля 2000 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В диодных гетероструктурах p-InAsSbP/n-InAs, смещенных в обратном направлении, исследовалась отрицательная люминесценция lambda_max=3.8 мкм в интервале температур 70/ 180^oC. Мощность отрицательной люминесценции возрастала с повышением температуры и, начиная со 110^oC, оказывалась больше мощности электролюминесценции в прямом направлении. Получены значения мощности отрицательной люминесценции 5 мВт/см², эффективности 60% и коэффициента преобразования 25 мВт/А · см² при 160^oC.

B. Matveev, M. Aidaraliev, G. Gavrilov et al. Sensors \& Actuators, 51 (1--3), 233 (1998)
М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 34 (1), 102 (2000)
В.И. Иванов-Омский, Б.Т. Коломиец, В.А. Смирнов. ДАН СССР, 161 (6), 1308 (1965)
С.С. Болгов, В.К. Малютенко, А.П. Савченко. ФТП, 31 (5), 526 (1997)
T. Ashley, C.T. Elliot, N.T. Gordon, S.H. Hall, A.D. Johnson, G.R. Price. J. Cryst. Growth, 159, 1100 (1996)
T. Ashley, C.T. Elliot, N.T. Gordon, S.H. Hall, A.D. Johnson, G.R. Price. Infr. Phys. Technol., 36, 1037 (1995)
M.J. Pullin, H.R. Hardaway, J.D. Heber, C.C. Phillips. Appl. Phys. Lett., 75 (22), 3427 (1999)
L.J. Olafsen, I. Vurgaftman, W.W. Bewley, C.L. Felix, E.H. Aifer, J.R. Meyer, J.R. Waterman, W. Mason. Appl. Phys. Lett., 74 (18), 2681 (1999)
M.K. Parry, A. Krier. Electron. Lett., 30 (23), 1968 (1994)
M.J. Pullin, H.R. Hardaway, J.D. Heber et al. Appl. Phys. Lett., 74 (16), 2384 (1999)
B. Matveev, N. Zotova, S. Karandashov, M. Remennyi, N. Il'inskaya, N. Stus', V. Shustov, G. Talalakin. J. Malinen IEE Proc. Optoelectronics, 145 (5), 254 (1998)
Н.П. Есина, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов. ФТП, 3 (5), 1370 (1969)
A. Krier, Y. Mao. Infr. Phys. Technol., 38, 397 (1997)
С.С. Болгов, В.К. Малютенко, В.И. Пипа. Письма ЖТФ, 5 (23), 1444 (1979)
M.J. Kane, G. Braithwaite, M.T. Ereny, D. Lee, T. Martin, D.R. Wright. Appl. Phys. Lett., 76 (8), 943 (2000)
M.K. Parry, A. Krier. Semicond. Sci. Technol., 8, 1764 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель