"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние легирования азотом на электрофизические свойства и эрбиевую электролюминесценцию пленок a-Si : H(Er)
Коньков О.И.1, Теруков Е.И.1, Границына Л.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Проведено исследование влияния легирования азотом на электрические и электролюминесцентные характеристики пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием. При этом параметры материала, характеристики структур на его основе и эффективность электролюминесценции эрбия (lambda=1.54 мкм) определяются превышением уровня легирования азотом над фоновым значением, определяемым концентрацией Er. Показано, что при уменьшении фоновой концентрации и сохранении легирования азотом на уровне ~ 1021 см-3 возможно получение эффективно люминесцирующих структур. Предложен возможный механизм, объясняющий такой эффект на основе двух форм встраивания атомов азота в структуру a-Si : H, легированного Er: с образованием комплекса Er--N и с образованием заряженной дефектной пары N+4--Si3-, при этом эффективность электролюминесценции определяется количеством таких пар.
  1. M.S. Bresler, O.B. Gusev, V.Kh. Kudoyarova, A.N. Kuznetsov, P.E. Pak, E.I. Terukov, I.N. Yassievich, B.P. Zaharchenya, W. Fuhs, A. Sturm. Appl. Phys. Lett., 67 (24), 3599 (1995)
  2. J.H. Shin, R. Serna, G.N. van den Hoven, A. Polman, W.G.J.M. van Stark, A.M. Vredenburg. Appl. Phys. Lett., 68 (7), 997 (1996)
  3. A.R. Zanatta, Z.A. Nunes, Z.R. Tessler. Appl. Phys. Lett., 70 (4), 511 (1997)
  4. М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, К.Д. Цендин, И.Н. Яссиевич. ФТП, 33 (6) 671 (1999)
  5. О.Б. Гусев, М.С. Бреслер, Б.П. Захарченя, А.Н. Кузнецов, П.Е. Пак, Е.И. Теруков, К.Д. Цендин, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 41 (2), 210 (1999)
  6. П.А. Иванов, О.И. Коньков, Е.И. Теруков. ФТП, 34 (5), 617 (2000)
  7. А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников, пер. с англ. под ред. С.А. Костылева (М., Мир, 1991)
  8. W. Beyer, H. Overhof. Semiconductors and Semimetals (Academic, Orlando, 1984) v. 21, part C
  9. A. Morimoto, M. Matsumoto, M. Kumeda, T. Shimizu. Japan. J. Appl. Phys., 29, L1747 (1990)
  10. A. Morimoto, M. Matsumoto, M. Yoshita, M. Kumeda, T. Shimizu. Appl. Phys. Lett., 59 (17), 2130 (1991)
  11. J.-H. Zhou, K. Yamaguchi, Y. Yamamoto, T. Shimizu. J. Appl. Phys., 74 (8), 5086 (1993)
  12. М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, В. Фус, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 38 (4), 1189 (1996)
  13. A. Polman, G.N. van den Hoven, J.S. Custer, J.H. Shin, R. Serna, P.F.A. Alkemade. J. Appl.Phys., 77 (3), 1256 (1995)
  14. В.Х. Кудоярова, А.Н. Кузнецов, Е.И. Теруков, О.Б. Гусев, О.Б. Кудрявцев, Б.Я. Бер, Г.М. Гусинский, В. Фус, Г. Вейзер, Х. Кюне. ФТП, 32 (11), 1384 (1998)
  15. T. Noguchi, S. Usui, A. Savada, Y. Kanoh, M. Kikuchi. Japan. J. Appl. Phys., 21, L485 (1982)
  16. M. Hiramatsu, T. Kamimura, M. Nakajima, H. Ito. Japan. J. Appl. Phys., 30, L7 (1991)
  17. A. Matsuda, K. Itoh, K. Matsuda, Y. Yonezawa, M. Kumeda, T. Shimizu. J. Appl.Phys., 81 (10), 6729 (1997)
  18. А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян. ФТП, 25 (10), 1201 (1991)
  19. M.J. Williams, S.S. He, S.M. Cho, G. Lucovsky. J. Vac. Sci. Technol. A, 12 (4), 1072 (1992)
  20. M. Kumeda, H. Yokomichi, T. Shimizu. Japan. J. Appl. Phys., 23, L502 (1984)
  21. T. Shimizu, H. Kidoh, A. Morimoto, M. Kumeda. Japan. J. Appl. Phys., 28, L586 (1989)
  22. M. Kumeda, M. Yoshita, A. Morimoto, T. Shimizu. Japan. J. Appl. Phys., 29, L1578 (1990)
  23. J. Kocka, M. Vanecek, F. Schauer. J. Non-Cryst. Sol., 97-- 98, 715 (1987)
  24. L.N. Tessler, A.C. Iniguez. J. Non-Cryst. Sol., 266-- 269, 603 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.