Термоэлектрическая добротность p-n-перехода
Равич Ю.И.1, Пшенай-Северин Д.А.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.
Выполнен расчет термоэлектрической добротности полупроводникового p-n-перехода в рамках диодной теории с учетом биполярной теплопроводности. Произведена оценка добротности диода на основе Bi2Te3 и показано, что критерий Иоффе может быть на уровне лучших современных термоэлектриков, хотя и не может превышать 1.
- Я. Тауц. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках (М., ИЛ, 1962)
- В.И. Стафеев. ФТТ, 11, 438 (1960)
- И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян. Термоэлектрические эффекты в многослойных полупроводниковых структурах (Кишинев, Штиинца, 1992)
- И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян, Н.В. Коломоец. ДАН СССР, 272, 855 (1983)
- Н.С. Лидоренко, И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян, Н.В. Коломоец. ДАН СССР, 299, 355 (1988)
- И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян. ФТП, 29, 1796 (1995)
- V.N. Bogomolov, D.A. Kurdyukov, A.V. Prokofiev, Yu.I. Ravich, L.A. Samoilovich, S.M. Samoilovich. Proc. Int. Conf. Thermoelectrics (St.Petersburg, Russia, 1995) p. 280
- V.N. Bogomolov, D.A. Kurdyukov, A.V. Prokofiev, Yu.I. Ravich, L.A. Samoilovich, S.M. Samoilovich. Phys. Low-Dim. Structur. 11/12, 63 (1994)
- W.M. Bullis. J. Appl. Phys., 34, 1648 (1962)
- Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 (М., Наука, 1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук