"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термоэлектрическая добротность p-n-перехода
Равич Ю.И.1, Пшенай-Северин Д.А.1
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Выполнен расчет термоэлектрической добротности полупроводникового p-n-перехода в рамках диодной теории с учетом биполярной теплопроводности. Произведена оценка добротности диода на основе Bi2Te3 и показано, что критерий Иоффе может быть на уровне лучших современных термоэлектриков, хотя и не может превышать 1.
  1. Я. Тауц. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках (М., ИЛ, 1962)
  2. В.И. Стафеев. ФТТ, 11, 438 (1960)
  3. И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян. Термоэлектрические эффекты в многослойных полупроводниковых структурах (Кишинев, Штиинца, 1992)
  4. И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян, Н.В. Коломоец. ДАН СССР, 272, 855 (1983)
  5. Н.С. Лидоренко, И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян, Н.В. Коломоец. ДАН СССР, 299, 355 (1988)
  6. И.И. Балмуш, З.М. Дашевский, А.И. Касиян. ФТП, 29, 1796 (1995)
  7. V.N. Bogomolov, D.A. Kurdyukov, A.V. Prokofiev, Yu.I. Ravich, L.A. Samoilovich, S.M. Samoilovich. Proc. Int. Conf. Thermoelectrics (St.Petersburg, Russia, 1995) p. 280
  8. V.N. Bogomolov, D.A. Kurdyukov, A.V. Prokofiev, Yu.I. Ravich, L.A. Samoilovich, S.M. Samoilovich. Phys. Low-Dim. Structur. 11/12, 63 (1994)
  9. W.M. Bullis. J. Appl. Phys., 34, 1648 (1962)
  10. Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi-=SUB=-2-=/SUB=-Te-=SUB=-3-=/SUB=- (М., Наука, 1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.