"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоемкостный эффект в монополярном МДП конденсаторе с полупроводниковым электродом, легированным двумя акцепторными примесями, при низких температурах
Пенин Н.А.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Теоретически исследован фотоемкостный эффект при низких температурах в монополярном ДП конденсаторе с полупроводниковым электродом, легированным двумя акцепторными примесями с разной энергией ионизации Eia (глубокий акцептор) и Eib (мелкий). Показано, что фотоемкостная чувствительность конденсатора возникает в виде пика в относительно узком интервале напряжения смещения. Максимум фотоемкостной чувствительности при постоянном напряжении зависит от температуры T как exp(Eia/kT). Неограниченное увеличение фотоемкостной чувствительности является результатом возникновения сингулярности в зависимости концентрации акцепторных ионов от напряжения смещения при понижении температуры. Представлены емкостные и фотоемкостные характеристики для конденсатора с электродом из кремния, легированного индием и бором.
  1. Н.А. Пенин. ФТП, 34, 562 (2000)
  2. Н.А. Пенин. ФТП, 17, 431 (1983)
  3. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963) с. 318

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.