"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Случайный потенциальный рельеф и примесная фотопроводимость компенсированного германия
Дружинин Ю.П.1, Чиркова Е.Г.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Предложена модель, описывающая спектральную зависимость фотопроводимости, нормированной на оптическое поглощение, для компенсированного германия при низкой температуре kT<< W (W --- энергетический масштаб случайного потенциального рельефа, возникающего в результате кулоновского межпримесного взаимодействия). Подгонка модельного спектра под экспериментальный позволяет определить W и степень заполнения примесной зоны мелкого донора. Сделан вывод о слабой зависимости длины свободного пробега от энергии электрона в случайном потенциальном рельефе.
  1. Ю.П. Дружинин, Е.Г. Чиркова. ФТП, 29, 1575 (1995)
  2. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  3. Ш.М. Коган. ФТП, 11, 1979 (1977)
  4. Нгуен Ван Лиен, Б.И. Шкловский. ФТП, 13, 1763 (1979)
  5. В. Карпус, В.И. Перель. ФТП, 16, 2129 (1982)
  6. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.