Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Свойства структур и приборов на кремний-на-изоляторе

Попов В.П.¹, Антонова А.И.¹, Французов А.А.¹, Сафронов Л.Н.¹, Феофанов Г.Н.¹, Наумова О.В.¹, Киланов Д.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены физические основы способа создания структур кремний-на-изоляторе (КНИ) методом, названным "DeleCut" (ion irradiated Deleted oxide Cut). Способ является модификацией известного метода Smart Cut^oledR и предназначен для устранения недостатков базового метода [1]. Предложенный способ поволяет существенно снизить температуру отжига и концентрацию радиационных дефектов в структурах КНИ, уменьшить толщину отсеченного слоя кремния и переходного слоя между слоем КНИ и скрытым окислом. Одновременно достигается увеличение однородности толщины слоев КНИ и диэлектрика до нескольких нанометров. Методом DeleCut созданы структуры КНИ с бездислокационными слоями КНИ толщиной 0.003-1.7 мкм с захороненным термическим окислом SiO₂ (0.05-0.5 мкм) на пластинах диаметром до 150 мм. Структуры КНИ обладают высокими электрофизическими характеристиками, подтвержденными изготовлением на них субмикронных (0.2-0.5) транзисторов КМОП и тестовых интегральных схем.

В.П. Попов, А.И. Антонова, Л.В. Миронова, В.Ф. Стась. Патент РФ N 99120527/28(021735) от 28.09.99 г
R. Chau, J. Kavalieros, R. Schenker, B. Roberds, D. Zionberger, D. Barlage, B. Doyle, R. Arghavani, A. Murthy. Abstracts Int. Electron. Dev. Meeting (San Francisco, 2000)
M. Bruel. Electron. Lett., 31, 1201 (1995)
Q.-Y. Tong, U. Goesele. Wafer bonding (N.Y. Wiley-Interscience Publication, 1999) p. 52
В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990) с. 216
L.S. Sidhu, T. Kosteski, S. Zukotynski. J. Appl. Phys., 85, 2574 (1999)
S. Muto, S. Takeda, M. Hirata. Mater. Sci. Forum, 143-7, 897 (1994)
A.G. Ulyashin, A.I. Ivanov, R. Job, W.R. Farner, F.F. Komarov, A.C. Kamyshan. J. Mater. Sci. Eng. B, 58, 91 (1999)
V.P. Popov, A.K. Gutakovsky, I.V. Antonova, K.S. Zhuravlev, G.P. Pokhil, I.I. Morosov. MRS, 536, 109 (1999)
V.P. Popov, I.V. Antonova, V.F. Stas, L.V. Mironova, A.K. Gutakovskii, E.V. Spesivtsev, A.A. Franzusov, A.S. Mardegov, G. Feofanov. J. Mater. Sci. Eng. B, 73, 82 (2000)
V.P. Popov, I.V. Antonova, J. Bak-Misiuk, J. Domagala. Spring E-MRS, Meeting. (Strasbourg, 2000) (to be publ. in J. Mater. Sci. Eng. B)
I.V. Antonova, V.P. Popov, V.F. Stas, A.K. Gutakovskii, A.E. Plotnikov, V.I. Obodnikov. Microelectron. Eng., 48, 383 (1999)
И.В. Антонова, В.Ф. Стась, В.П. Попов, В.И. Ободников, А.К. Гутаковский. ФТП, 34, 1095 (2000)
И.В. Антонова, Й. Стано, Д.В. Николаев, О.В. Наумова, В.П. Попов, В.А. Скуратов. ФТП, 35 (8), (2001)
J.W. Farmer, C.D. Lamp, J.M. Meese. Appl. Phys. Lett., 41, 1064 (1982)
T. Katsube, K. Kakimoto, T. Ikoma. J. Appl. Phys., 52, 3504 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель