"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффект баллистического переноса электронов в структурах металл--n-GaAs--n+-GaAs с барьером Шоттки
Торхов Н.А.1
1Научно-исследовательский институт полупроводников (ГНПП НИИПП), Томск, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

В предположении о баллистическом характере движения проведено исследование взаимодействия электрона с потенциалом, сформированным контактом металл--полупроводник с барьером Шоттки. Рассмотрены три случая взаимодействия электрона с барьерным потенциалом: сильное, слабое и надбарьерный перенос. Показано, что взаимодействие электрона с надбарьерной областью существенно влияет на процесс рассеяния во всех трех случаях, что отражается на поведении статических вольт-амперных характеристик. На основе предложенной модели было предсказано увеличение обратных токов при увеличении ширины тонкой (~ 0.35 мкм) базы диода, которое было проверено и подтверждено экспериментально. Получено, что увеличение обратного тока связано с увеличением влияния сильного электрического поля на движущиеся носители с ростом ширины тонкой базы.
  1. F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  2. K. Shenai, R.W. Dutton. IEEE Trans. Electron. Dev., 35 (4), 468 (1988)
  3. Modern Semiconductor Device Physics. Ed. by S.M. Sze (John Wiley \& Sons, 1997)
  4. М.И. Векслер. ФТП, 30 (9), 1718 (1996)
  5. В.Н. Добровольский, Г.К. Ницидзе, В.Н. Петрусенко. ФТП, 28 (4), 651 (1994)
  6. J. Martinez, E. Calleja, J. Piqueras. Phys. St. Sol., 60 (a), 277 (1980)
  7. J. Crofton, S. Sriram. IEEE Trans. Electron. Dev., 43 (12), 2305 (1996)
  8. H.C. Card, E.H. Rhoderick. J. Phys. D: Appl. Phys., 4, 1589 (1971)
  9. D. Mui, S. Strite, H. Morkoc. Sol. St. Electron., 34 (10), 1077 (1991)
  10. V.L. Rideout, C.R. Crowell. Sol. St. Electron., 13, 993 (1970)
  11. J.M. Andrews. J. Vac. Sci. Technol., 11, 951 (1974)
  12. М.Э. Райх, И.М. Рузин. ФТП, 21, 456 (1987)
  13. Т.А. Полянская, Х.Г. Нажмудинов. ФТП, 21, 1737 (1987)
  14. М.Э. Райх, И.М. Рузин. ЖЭТФ, 92, 2257 (1987)
  15. Н.А. Торхов, С.В. Еремеев. ФТП, 34 (1), 106 (2000)
  16. N.A. Torkhov. Proc. 4th Int. Conf. on Actual Problems of Electronic Instrument Engineering " APEIE-98" (Novosibirsk, Russia, Sept. 23--26, 1998) v. 2, p. 217
  17. Н.Л. Чуприков. Деп. в ВИНИТИ, N 492-В91
  18. Н.Л. Чуприков. ФТП, 30 (3), 443 (1996)
  19. Н.Л. Чуприков. ФТП, 26 (12), 2040 (1992)
  20. Н.А. Торхов, В.Г. Божков. Деп. в ВИНИТИ, N 313-В99 от 29. 01. 99
  21. L. Esaki. IEEE J. Quant. Electron., 22 (9), 1611 (1986)
  22. S.D. Collins, D. Lowet, J.R. Barker. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 20, 6213 (1987)
  23. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.