"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические характеристики интерференционных транзисторов с одним затвором на различных полупроводниковых материалах
Абрамов И.И.1, Рогачев А.И.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 19 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

Проведено теоретическое исследование вольт-амперных и частотных характеристик однозатворных интерференционных T-транзисторов на квантовых проволоках различных полупроводниковых материалов, а именно Si, Ge, GaAs, InAs, GaSb, InSb, GaP, InP. Осуществлен учет двух механизмов рассеяния в модели T-транзистора с целью оценки их влияния на электрические характеристики приборов. Адекватность предложенной модели проверена путем сравнения результатов моделирования с экспериментальными данными. Приведенные в работе расчеты выполнены с помощью подсистемы моделирования приборов на квантовых проволоках QW-NANODEV.
  1. S. Datta. Superlat. Microstruct., 6, 83 (1989)
  2. S. Subramaniam, S. Bandyopadhyay, W. Porod. J. Appl. Phys., 68, 4861 (1990)
  3. Ж.И. Алфёров. ФТП, 32, 3 (1998)
  4. И.И. Абрамов, Ю.А. Берашевич, А.Л. Данилюк. ЖТФ, 69, 130 (1999)
  5. J.I. Bergman, J. Chang, Y. Joo, B. Matinpour, J. Laskar, N.M. Jokerst, M.A. Brooke, B. Brar, E. Beam, III. IEEE Electron Dev. Lett., 20, 119 (1999)
  6. И.И. Абрамов, Е.Г. Новик. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов (Минск, Бестпринт, 2000)
  7. A.C. Irvine, Z.A.K. Durrani, H. Ahmed. J. Appl. Phys., 87, 8594 (2000)
  8. J. Appenzeller, Ch. Schoer, Th. Schapers, A. v. d. Hart, A. Forster, B. Lengeler, H. Luth. Phys. Rev. B, 53, 9959 (1996)
  9. A. Ghoshal, B. Mitra, K.P. Ghatak. Nuovo Cimento, 12, 891 (1990)
  10. C.-C. Wu, C.-J. Lin. J. Appl. Phys., 83, 1390 (1998)
  11. J. Motohisa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 60, 1315 (1992)
  12. M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev. Handbook Series on Semiconductor parameters (London, World Scientific, 1996)
  13. В.М. Борздов, Ф.Ф. Комаров. Моделирование электрофизических свойств твердотельных слоистых структур интегральной электроники (Минск, Изд-во Белорус. ун-та, 1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.