Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Средний порядок и оптоэлектронные свойства тетраэдрически координированного гидрированного аморфного полупроводника

Голикова О.А.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 апреля 2001 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

PDF версия

Определены корреляции между характеристикой среднего порядка в структуре a-Si : H и плотностью дефектов, их зарядовым состоянием, оптической шириной запрещенной зоны, ее пространственными флуктуациями. Показано, что модифицирование структуры на уровне среднего порядка за счет образования нановключений может приводить к радикальному росту фотопроводимости и к упорядочению структуры аморфной матрицы.

А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, С.П. Вихров, А.И. Попов. Неупорядоченные полупроводники, под ред. А.А. Айвазова (М., Изд-во МЭИ 1995) с. 67
А. Меден, М. Шо. Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991) с. 39
A.P. Sokolov, A.P. Shebanin, O.A. Sokolova, M.M. Mezdrogina. J. Non-Cryst. Sol., 137/139, 99 (1991)
J.S. Lannin, M. Maley. Phys. Rev. B, 36, 1146 (1987)
О.А. Голикова, В.Х. Кудоярова. ФТП, 32, 876 (1998)
C.M. Formann, R.M. Dawson, H.Y. Lin, C.R. Wronski. J. Appl. Phys., 76, 768 (1994)
W.E. Spear and P.G. LeComber. Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon. I. Structure, Preparation and Devices, ed. by J.D. Joannopoulos, G. Lucovsky (Springer Verlag, Berlin, 1984) p. 63
О.А. Голикова. ФТП, 34, 369 (2000)
V.N. Novikov, A.P. Sokolov, O.A. Golikova, V.Kh. Kudoyarova, M.M. Mezdrogina. ФТТ, 32, 1515 (1990)
M. Stutzman. Phil. Mag. B, 60, 531 (1987)
D. Ruff, H. Mell, L. Toft, G. Hohn, I. Silber, W. Fuhs. Abstracts of ICAMS17 (Budapest, 1997) Th-P 113/4
О.А. Голикова, А.Н. Кузнецов, В.Х. Кудоярова, М.М. Казанин. ФТП, 31, 816 (1997)
О.А. Голикова, А.Н. Кузнецов, В.Х. Кудоярова, И.Н. Петров, Е.П. Домашевская, В.А. Терехов. ФТП, 34, 86 (2000)
В.А. Терехов. Автореф. докт. дис. (Воронеж, ВГУ, 1994)
О.А. Голикова, М.М. Казанин. ФТП, 34, 762 (2000)
R. Butte, R. Meaudre, M. Meaudre, S. Vignoli, C. Logeaud, J.P. Kleider, P. Poca i Cabarrocas. Phil. Mag. B, 79, 1079 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель