Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурные и фотонные свойства нанокомпозитов опал--GaN

Голубев В.Г.¹, Курдюков Д.А.¹, Медведев А.В.¹, Певцов А.Б.¹, Сорокин Л.М.¹, Хатчисон Дж.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Оксфордский университет, OXI 3PH, Оксфорд, Великобритания

Поступила в редакцию: 19 апреля 2001 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Электронно-микроскопическими методами показано, что синтезированный в порах опала нитрид галлия имеет совершенную кристаллическую структуру. Из исследований спектров отражения установлено, что полученные нанокомпозиты опал-<нитрид галлия> сохраняют фотонно-кристаллические свойства исходной упорядоченной матрицы опала при любой (0-100%) степени заполнения пор опала нитридом галлия.

В.Н. Богомолов, Т.М. Павлова. ФТП, 29, 826 (1995)
V.N. Astratov, V.N. Bogomolov, A.A. Kaplyanskii, A.V. Prokofiev, L.A. Samoilovich, S.M. Samoilovich, V.Yu. Vlasov. Nuovo Cimento, D17, 1349 (1995)
Photonic Band Gap Materials, ed. by C.M. Soukoulis. Advanced Studies Institute of NATO, Ser. E, v. 315 (Kluwer, Dordrecht, 1996)
V.N. Bogomolov, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, J.L. Hutchison, D.A. Kurdyukov, A.B. Pevtsov, R. Schwarz, J. Sloan, L.M. Sorokin. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 1021 (2000)
C. Diaz-Guerra, J. Piqueras, V.G. Golubev, D.A. Kurdyukov, A.B. Pevtsov, M.V. Zamoryanskaya. Appl. Phys. Lett., 77, 3194 (2000)
V.Yu. Davydov, V.G. Golubev, N.F. Kartenko, D.A. Kurdyukov, A.B. Pevtsov, S.M. Samoilovich, N.V. Sharenkova, P. Brogueira, R. Schwarz. Nanotechnology, 11, 291 (2000)
V.Yu. Davydov, R.E. Dunin-Borkovski, V.G. Golubev, J.L. Hutchison, N.F. Kartenko, D.A. Kurdyukov, A.B. Pevtsov, N.B. Sharenkova, J. Sloan, L.M. Sorokin. Semicond. Sci. Technol., 16, L5 (2001)
T. Kachi, K. Tomita, K. Itoh, H. Tadano. Appl. Phys. Lett., 72, 704 (1998)
H. Mi guez, A. Blanco, F. Mesequer, C. Lopez, H.M. Yates, M.E. Pemble, V. Fornes, A. Mifsud. Phys. Rev. B, 59, 1563 (1999)
В.Г. Голубев, В.А. Кособукин, Д.А. Курдюков, А.В. Медведев, А.Б. Певцов. ФТП, 35, 710 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель