"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурные превращения и образование нанокристаллитов кремния в пленках SiOx
Братусь В.Я.1, Юхимчук В.А.1, Бережинский Л.И.1, Валах М.Я.1, Ворона И.П.1, Индутный И.З.1, Петренко Т.Т.1, Шепелявый П.Е.1, Янчук И.Б.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 10 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

Приведены результаты комплексного исследования методами инфракрасного поглощения, комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса пленок SiOx, полученных термическим испарением SiO в вакууме. Установлен характер структурных превращений, происходящих в процессе отжига пленок. Отжиг в интервале температур 300-600oC вызывает появление полосы фотолюминесценции 650 нм, связанной, по-видимому, со структурными дефектами пленки SiOx. Дальнейшее повышение температуры отжига приводит к залечиванию дефектов и затуханию полосы. Обнаружено, что преципитаты Si переходят из аморфного состояния в кристаллическое после отжига при 1100oC, с чем связано возникновение новой полосы фотолюминесценции в области 730 нм. Зарегистрированы спектры электронного парамагнитного резонанса Pb-центров на границах хаотически ориентированных нанокристаллитов кремния и SiO2.
  1. T. Shimizu-Iwayama, N. Kurumado, D.E. Hole, P.D. Townsend. J. Appl. Phys., 83, 6018 (1998)
  2. H.Z. Song, X.M. Bao, N.S. Li, X.L. Wu. Appl. Phys. Lett., 72, 356 (1998)
  3. L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Glorgio. J. Appl. Phys., 87, 3829 (2000)
  4. Y. Ishikawa, N. Shibata, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 68, 2249 (1996)
  5. A.G. Nassiopoulou, V. Ioannou-Sougleridis, P. Photopoulos, A. Travlos, V. Tsakiri, D. Papadimitriou. Phys. St. Sol. (a), 165, 79 (1998)
  6. L. Tsybeskov, S.P. Duttagupta, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet. Appl. Phys. Lett., 68, 2058 (1996)
  7. H.R. Philipp. J. Phys. Chem. Sol., 32, 1935 (1971)
  8. M. Nakamura, Y. Mochizuki, K. Usami, Y. Itoh, T. Nozaki. Sol. St. Commun., 50, 1079 (1984)
  9. G. Hollinger, Y. Jugnet, T.M. Duc. Sol. St. Commun., 22, 277 (1977)
  10. E. Holzenkampfer, F.-W. Richter, J. Stuke, U. Voget-Grote. J. Non-Cryst. Sol., 32, 327 (1979)
  11. T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, S. Hasegawa. J. Appl. Phys., 83, 2228 (1998)
  12. A. Lehmann, L. Schuman, K. Hubner. Phys. St. Sol. (b), 117, 689 (1983)
  13. F. Rochet, G. Dudour, H. Roulet, B. Pelloie, J. Perriere, E. Fogarassy, A. Slaoui, M. Froment. Phys. Rev. B, 37, 6468 (1988)
  14. H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
  15. H. Cambell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
  16. M.Ya. Valakh, V.A. Yukhimchuk, V.Ya. Bratus', A.A. Konchits, P.L.F. Hemment, T. Komoda. J. Appl. Phys., 85, 163 (1999)
  17. M.H. Brodsky, R.S. Title. Phys. Rev. Lett., 23, 581 (1969)
  18. E.H. Poindexter, P.J. Caplan, B.E. Deal, R.R. Razouk. J. Appl. Phys., 52, 879 (1981)
  19. D.L. Griscom, E.J. Friebele, G.H. Sigel, Jr. Sol. St. Commun., 15, 479 (1974)
  20. C.F. Young, E.H. Poindexter, G.J. Gerardi. J. Appl. Phys., 81, 7468 (1997)
  21. A. Stesmans, V.V. Afanas'ev. J. Appl. Phys., 83, 2449 (1998)
  22. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1973)
  23. D. Goguenheim, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 44, 1724 (1991)
  24. H.J. von Bardeleben, M. Chamarro, A. Grosman, V. Morazzani, C. Ortega, J. Siejka, S. Rigo. J. Luminesc., 57, 39 (1993)
  25. J.G. Zhu, C.W. White, J.D. Budai, S.P. Withrow, Y. Chen. J. Appl. Phys., 78, 4386 (1995)
  26. Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi, K. Takeda. Phys. Rev. B, 48, 4883 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.