Структурные превращения и образование нанокристаллитов кремния в пленках SiOx
Братусь В.Я.1, Юхимчук В.А.1, Бережинский Л.И.1, Валах М.Я.1, Ворона И.П.1, Индутный И.З.1, Петренко Т.Т.1, Шепелявый П.Е.1, Янчук И.Б.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 10 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.
Приведены результаты комплексного исследования методами инфракрасного поглощения, комбинационного рассеяния света, фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса пленок SiOx, полученных термическим испарением SiO в вакууме. Установлен характер структурных превращений, происходящих в процессе отжига пленок. Отжиг в интервале температур 300-600oC вызывает появление полосы фотолюминесценции 650 нм, связанной, по-видимому, со структурными дефектами пленки SiOx. Дальнейшее повышение температуры отжига приводит к залечиванию дефектов и затуханию полосы. Обнаружено, что преципитаты Si переходят из аморфного состояния в кристаллическое после отжига при 1100oC, с чем связано возникновение новой полосы фотолюминесценции в области 730 нм. Зарегистрированы спектры электронного парамагнитного резонанса Pb-центров на границах хаотически ориентированных нанокристаллитов кремния и SiO2.
- T. Shimizu-Iwayama, N. Kurumado, D.E. Hole, P.D. Townsend. J. Appl. Phys., 83, 6018 (1998)
- H.Z. Song, X.M. Bao, N.S. Li, X.L. Wu. Appl. Phys. Lett., 72, 356 (1998)
- L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Glorgio. J. Appl. Phys., 87, 3829 (2000)
- Y. Ishikawa, N. Shibata, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 68, 2249 (1996)
- A.G. Nassiopoulou, V. Ioannou-Sougleridis, P. Photopoulos, A. Travlos, V. Tsakiri, D. Papadimitriou. Phys. St. Sol. (a), 165, 79 (1998)
- L. Tsybeskov, S.P. Duttagupta, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet. Appl. Phys. Lett., 68, 2058 (1996)
- H.R. Philipp. J. Phys. Chem. Sol., 32, 1935 (1971)
- M. Nakamura, Y. Mochizuki, K. Usami, Y. Itoh, T. Nozaki. Sol. St. Commun., 50, 1079 (1984)
- G. Hollinger, Y. Jugnet, T.M. Duc. Sol. St. Commun., 22, 277 (1977)
- E. Holzenkampfer, F.-W. Richter, J. Stuke, U. Voget-Grote. J. Non-Cryst. Sol., 32, 327 (1979)
- T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, S. Hasegawa. J. Appl. Phys., 83, 2228 (1998)
- A. Lehmann, L. Schuman, K. Hubner. Phys. St. Sol. (b), 117, 689 (1983)
- F. Rochet, G. Dudour, H. Roulet, B. Pelloie, J. Perriere, E. Fogarassy, A. Slaoui, M. Froment. Phys. Rev. B, 37, 6468 (1988)
- H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley. Sol. St. Commun., 39, 625 (1981)
- H. Cambell, P.M. Fauchet. Sol. St. Commun., 58, 739 (1986)
- M.Ya. Valakh, V.A. Yukhimchuk, V.Ya. Bratus', A.A. Konchits, P.L.F. Hemment, T. Komoda. J. Appl. Phys., 85, 163 (1999)
- M.H. Brodsky, R.S. Title. Phys. Rev. Lett., 23, 581 (1969)
- E.H. Poindexter, P.J. Caplan, B.E. Deal, R.R. Razouk. J. Appl. Phys., 52, 879 (1981)
- D.L. Griscom, E.J. Friebele, G.H. Sigel, Jr. Sol. St. Commun., 15, 479 (1974)
- C.F. Young, E.H. Poindexter, G.J. Gerardi. J. Appl. Phys., 81, 7468 (1997)
- A. Stesmans, V.V. Afanas'ev. J. Appl. Phys., 83, 2449 (1998)
- М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1973)
- D. Goguenheim, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 44, 1724 (1991)
- H.J. von Bardeleben, M. Chamarro, A. Grosman, V. Morazzani, C. Ortega, J. Siejka, S. Rigo. J. Luminesc., 57, 39 (1993)
- J.G. Zhu, C.W. White, J.D. Budai, S.P. Withrow, Y. Chen. J. Appl. Phys., 78, 4386 (1995)
- Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi, K. Takeda. Phys. Rev. B, 48, 4883 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук