"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мощные высоковольтные биполярные транзисторы на основе сложных полупроводниковых структур
Волокобинский М.Ю.1, Комаров И.Н.1, Матюхина Т.В.1, Решетников В.И.1, Руш А.А.1, Фалина И.В.1, Ястребов А.С.1
1Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Исследованы физические процессы в транзисторах, в которые внесен новый конструктивный элемент --- решетка объемных неоднородностей в коллекторной области. Решетка приводит к уменьшению напряженности электрического поля у металлургической границы коллекторного p-n-перехода и препятствует развитию вторичного пробоя.
  1. А. Блихер. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов [Пер. с англ., под ред. И.В. Грехова. (Л., Энергоатомиздат, 1986)]
  2. T.P. Lee, S.M. Sze. Sol. St. Electron., 10, 1105 (1967)
  3. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., 1981)]
  4. М.Ю. Волокобинский, А.С. Ястребов. ДАН, 362, 323 (1998)
  5. S.L. Miller. Phys. Rev., 99, 1234 (1955)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.