Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Мощные высоковольтные биполярные транзисторы на основе сложных полупроводниковых структур
1Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 3 июля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Исследованы физические процессы в транзисторах, в которые внесен новый конструктивный элемент - решетка объемных неоднородностей в коллекторной области. Решетка приводит к уменьшению напряженности электрического поля у металлургической границы коллекторного p-n-перехода и препятствует развитию вторичного пробоя.
- А. Блихер. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов [Пер. с англ., под ред. И.В. Грехова. (Л., Энергоатомиздат, 1986)]
- T.P. Lee, S.M. Sze. Sol. St. Electron., 10, 1105 (1967)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., 1981)]
- М.Ю. Волокобинский, А.С. Ястребов. ДАН, 362, 323 (1998)
- S.L. Miller. Phys. Rev., 99, 1234 (1955)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
