"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние легирования слоя квантовых точек InAs висмутом на морфологию и фотоэлектронные свойства гетероструктур GaAs/InAs, полученных газофазной эпитаксией
Звонков Б.Н.1, Карпович И.А.1, Байдусь Н.В.1, Филатов Д.О.1, Морозов С.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 24 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Изовалентное легирование висмутом слоя квантовых точек InAs в процессе его роста в гетероструктурах GaAs/InAs, полученных газофазной эпитаксией с использованием металлорганических соединений, подавляет коалесценцию нанокластеров и способствует получению более однородных квантовых точек. Сам висмут практически не входит в состав квантовых точек, и его роль состоит в основном в ограничении миграционной подвижности атомов на поверхности растущего слоя. Разработана методика исследования морфологии внутренних слоев квантовых точек InAs в матрице GaAs методом атомно-силовой микроскопии, основанная на удалении покровного слоя избирательным химическим травлением. Исследованы спектры фотолюминесценции и фотоэлектрической чувствительности гетероструктур и установлена их связь с морфологией слоя квантовых точек. В легированных структурах получена фотолюминесценция и селективная фоточувствительность от квантовых точек на длине волны 1.41 мкм с шириной линии 43 мэВ при комнатной температуре. Некоторые особенности морфологии и фотоэлектронных свойств гетероструктур, полученных МОСГЭ, объясняются образованием переходного слоя твердого раствора на гетерогранице квантовых точек GaAs/InAs в результате диффузионного перемешивания компонентов.
  1. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
  2. Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, Ю.Ю. Гущина, И.А. Карпович, А.В. Здоровейщев. Матер. Всерос. совещ. "Зондовая микроскопия-99". 10--13 марта 1999, Нижний Новгород, с. 164. [Поверхность (в печати)]
  3. Б.Н. Звонков, И.Г. Малкина, Е.Р. Линькова, В.Я. Алешкин, И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 31, 1100 (1997)
  4. H. Saito, K. Nishi, S. Sugou. Appl. Phys. Lett., 73, 2742 (1998)
  5. Б.В. Воловик, А.Ф. Цацульников, Д.А. Бедарев и др. ФТП, 33, 990 (1999)
  6. И.А. Карпович, Д.О. Филатов, С.В. Морозов, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, Ю.Ю. Гущина. Изв. АН. Сер. физ., 63, N 2, 313 (2000)
  7. V.A. Shchukin, A.I. Borovkov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, M. Grundman, D. Bimberg. Low-Dim. Structur., 12, 43 (1995)
  8. И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 30, 1745 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.