Изовалентное легирование висмутом слоя квантовых точек InAs в процессе его роста в гетероструктурах GaAs/InAs, полученных газофазной эпитаксией с использованием металлорганических соединений, подавляет коалесценцию нанокластеров и способствует получению более однородных квантовых точек. Сам висмут практически не входит в состав квантовых точек, и его роль состоит в основном в ограничении миграционной подвижности атомов на поверхности растущего слоя. Разработана методика исследования морфологии внутренних слоев квантовых точек InAs в матрице GaAs методом атомно-силовой микроскопии, основанная на удалении покровного слоя избирательным химическим травлением. Исследованы спектры фотолюминесценции и фотоэлектрической чувствительности гетероструктур и установлена их связь с морфологией слоя квантовых точек. В легированных структурах получена фотолюминесценция и селективная фоточувствительность от квантовых точек на длине волны 1.41 мкм с шириной линии 43 мэВ при комнатной температуре. Некоторые особенности морфологии и фотоэлектронных свойств гетероструктур, полученных МОСГЭ, объясняются образованием переходного слоя твердого раствора на гетерогранице квантовых точек GaAs/InAs в результате диффузионного перемешивания компонентов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.