"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронные свойства структур металл--диэлектрик--полупроводник на основе InAs
Курышев Г.Л.1, Ковчавцев А.П.1, Валишева Н.А.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Рассмотрены особенности электронных процессов в МДП структурах на основе InAs, работающих в режиме прибора с зарядовой инжекцией и используемых в качестве фотоприемных элементов в спектральном диапазоне 2.5-3.05 мкм. В качестве диэлектрика использовалась двухслойная система из слоя анодного окисла и низкотемпературной двуокиси кремния. Показано, что введение в состав электролита фторсодержащих компонент уменьшает величину встроенного заряда и плотность поверхностных состояний до минимально измеримых величин =<sssim 2·1010 см-2·эВ-1. На основе данных по фазовому составу анодных окислов, полученных методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, обсуждается физико-химическая природа поверхностных состояний на границе раздела InAs-диэлектрик и возможные причины их отсутствия. Наблюдалась аномальная полевая генерация в режиме неравновесного обеднения полупроводника. Рассмотрены процессы туннельной генерации, дающие существенный вклад при больших амплитудах импульса обеднения. Исследовано поведение шума МДП структур в режиме неравновесного обеднения.
  1. А.В. Ржанов. Электронные процессы на поверхности полупроводников (М., Наука, 1971)
  2. W.E. Spicer, P. Pianetta, I. Lindau, P.W. Chye. J. Vac. Sci. Technol., 14, 885 (1977)
  3. И.Н. Сорокин, В.И. Козлов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 15 (3), 53 (1979)
  4. E. Von Kauer, L. Rabenau. Z. Naturforschung (a), B.13 (7), 531 (1958)
  5. R.L. Weiher, R.P. Ley. J. Appl. Phys., 37, 299 (1966)
  6. W.P. Doyle. J. Phys. Chem. Sol., 4, 144 (1958)
  7. Т.П. Смирнова, Н.Ф. Захарчук, А.Н. Голубенко, В.И. Белый. Новые материалы электронной техники (Новосибирск, Наука, 1990) с. 62
  8. В.И. Белый. В сб.: Проблемы электронного материаловедения (Новосибирск, Наука, 1986) с. 29
  9. G.P. Schwartz. Thin Sol. Films, 103 (1/2), 3 (1983)
  10. G.P. Schwartz, W.A. Sunder, I.E. Griffiths. Thin Sol. Films, 94, 205 (1982)
  11. C.W. Wilmsen, L.G. Meiners, D.A. Collins. Thin Sol. Films, 46 (3), 331 (1977)
  12. В.Н. Давыдов, Е.А. Лоскутова, И.И. Фефелова. Микроэлектроника, 15 (5), 455 (1986)
  13. R.K. Ahrenkiel, L.L. Kazmerski, O. Jamjoum, P.E. Russell, P.J. Jreland, R.S. Wagner. Thin Sol. Films, 95 (4), 327 (1982)
  14. А.П. Соловьев, Н.А. Валишева, И.И. Мараховка, И.О. Парм, С.Ю. Смирнов. А.с. N 1604097 от 1.07.1990
  15. Н.А. Корнюшкин, Н.А. Валишева, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев. ФТП, 30 (5), 914 (1996)
  16. Н.А. Валишева, Т.А. Левцова, Л.М. Логвинский, А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, А.З. Петренко, И.П. Петренко. Поверхность, N 11, 53 (1999)
  17. G. Lukovski, R.S. Bauer. J. Vac. Sci. Technol., 17 (5), 946 (1980)
  18. W.A. Harrison. Phys. Rev., 123 (1), 85 (1961)
  19. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. Теоретическая физика (М., Наука, 1963) т. 3, с. 211
  20. W.W. Anderson. Infr. Phys., 17, 147 (1977)
  21. H.C. Gard. Sol. St. Commun., 31, 877 (1978)
  22. J.C. Kim. IEEE J. Sol. St. Circ., SC-13 (1), 158 (1978)
  23. Н.И. Халиуллин. Микроэлектроника, 16 (5), 463 (1987)
  24. G.L. Kurishev, A.P. Kovchavtzev, V.M. Bazovkin, I.M. Subbotin, I.M. Zakharov, Yu.A. Shlapunov, E.S. Kogan, A.W. Bechterev. SPIE, 2746, 268 (1996)
  25. A.P. Kovchavtzev, E.S. Kogan, G.L. Kurishev, G.L. Logvinski. OPTO-92 (Paris, 1992) с. 620
  26. Г.Л. Курышев, А.П. Ковчавцев, Б.Г. Вайнер, А.А. Гузев, В.М. Базовкин, А.С. Строганов, И.М. Субботин, И.М. Захаров, В.М. Ефимов, К.О. Постников, И.И. Ли, Н.А. Валишева, З.В. Панова. Автометрия, N 4, 5 (1998)
  27. Г.Л. Курышев, А.П. Ковчавцев, В.М. Базовкин, А.А. Гузев, И.И. Ли, Н.А. Валишева, К.О. Постников, А.В. Яковлев, П.В. Журавлев. Автометрия, N 4, 13 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.