"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О рекомбинации и взаимодействии точечных дефектов с поверхностью при кластеризации точечных дефектов в Si
Федина Л.И.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 февраля 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

На основе детального анализа кинетики роста дефектов 113 межузельного типа в n- и p-Si при облучении in situ в высоковольтном электронном микроскопе JEOL-1250 в работе рассмотрена конкурирующая роль рекомбинации точечных дефектов и их взаимодействия с поверхностью на процесс кластеризации точечных дефектов. Показано, что доминирующее взаимодействие вакансий с поверхностью кристалла является следствием появления энергетического барьера для рекомбинации точечных дефектов в слабо легированных кристаллах Si. В этих условиях сток вакансий на поверхность обеспечивает компенсацию роста энергии кристалла, вызванной разделением пар Френкеля. Большое различие скоростей роста дефектов 113 в n-Si и p-Si, экспериментально наблюдаемое в условиях доминирования рекомбинации, как предполагается, обусловлено различием энергетических барьеров для рекомбинации. При этом найденные величины барьеров коррелируют с энергией решеточной релаксации вакансии в различном зарядовом состоянии.
  1. V.V. Voronkov. J. Crystal Growth, 59, 625 (1982)
  2. R. Falster, V.V. Voronkov. MRS Bulletin, 25 ( 6), 28 (2000)
  3. M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T.D. de la Rubia. Phys. Rev. B, 55, 14 279 (1997)
  4. D. Maroudas, R.A. Brown. Phys. Rev. B, 47, 15 562 (1993)
  5. Л.И. Федина, А.Л. Асеев, С.Г. Денисенко, Л.С. Смирнов. ФТТ, 24, 2037 (1982)
  6. А.Л. Ассев, С.Г. Денисенко, Л.И. Федина. ФТП, 25, 582 (1991)
  7. A. Aseev, L. Fedina, D. Hoehl, H. Barsch. Clusters of Interstitial Atoms in Silicon and Germanium (Berlin, Academy Verlag, 1994)
  8. U. Gosele, T.Y. Tan. Diffusion in solids, Unsolved Problems (Zurich, Trans. Tech. Publication, 1992) p. 189
  9. Дж. Корбетт, Ж.Бургуэн. Точечные дефекты в твердых телах (М., Мир, 1979) с. 9
  10. L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont. In situ Electron Microscopy in Material Research (Dordrecht, Kluwer, 1997) ch. 4, p. 63
  11. L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont. Phil. Mag. A, 77, 423 (1998)
  12. L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont. Phys. St. Sol. (a), 171, 147 (1999)
  13. L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev. Cryst. Res. Technol., 35, 775 (2000)
  14. L. Fedina, O. Lebedev, G. Van Tendeloo, J. Van landuyt, O. Mironov, E. Parker. Phys. Rev. B, 61, 10 336 (2000)
  15. E. Chason, S.T. Picraux, J.M. Poate, J.O. Borland, M.I. Current, T. Diaz de la Rubia, D.J. Eaglesham, O.W. Hollad, M.E. Law, C.W. Magee, J.W. Mayer, J. Melngailis, A.F. Tasch. J. Appl. Phys., 81, 6513 (1997)
  16. P.J. Bedrossian, M.-J. Caturla, T. Diaz de la Rubia. Appl. Phys. Lett., 70, 176 (1997)
  17. S. Ogut, H. Kim, J.R. Chelikowsky. Phys. Rev. B, 56, R 11353 (1997)
  18. Л.И. Федина, А.Л. Асеев. ФТТ, 32, 60 (1990)
  19. А. Дамаск, Дж. Динс. Точечные дефекты в металлах (М., Мир, 1966) с. 291
  20. A. Antonelli, J. Bernholc. Phys. Rev. B, 40, 10 643 (1989)
  21. G.D. Watkins. Radiation Effects in Semiconductors (N.Y., Plenum Press, 1968) p. 67
  22. Ю.М. Плишкин. Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ (Л., Наука, 1980) с. 100
  23. J.D. Eshelby. J. Appl. Phys., 25, 255 (1954)
  24. J. Kim, F. Kirchhoff, J.W. Wilkins, F.S. Khan. Phys. Rev. B, 84, 503 (2000)
  25. J. Zhu, T. Diaz de la Rubia, L.H. Yang, C. Mailhiot, G.H. Gilmer. Phys. Rev. B, 54, 4741 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.