"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электролюминесценция светодиодов на основе твердых растворов InGaAs и InAsSbP (lambda=3.3-4.3 мкм) в интервале температур 20-180oC (продолжение*)
Айдаралиев М.1, Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.1, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 октября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

Созданы и исследованы светодиоды на основе p-n-гомо- и гетероструктур с активными слоями из InAsSbP и InGaAs, мощностью излучения от 0.2 мВт (lambda=4.3 мкм) до 1.33 мВт (lambda=3.3 мкм) и коэффициентами преобразования от 30 (InAsSbP, lambda=4.3 мкм) до 340 мВт/А·см2 (двойная гетероструктура InAsSb/InAsSbP, lambda=4.0 мкм). С ростом тока наблюдалось уменьшение коэффициента преобразования, связанное в основном с джулевым разогревом p-n-гомопереходов. Насыщение мощности при увеличении тока в светодиодах на основе двойных гетероструктур не было связано с нагревом активной области. При повышении температуры светодиодов (lambda=3.3, 4.3 мкм) от 20 до 180oC происходило падение мощности излучения в 7 и 14 раз, достигая при 180oC значений 50 (1.5 A) и 7 мкВт (3 A) соответственно.
  1. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 34 (1), 99 (2000)
  2. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 17 (23), 75 (1991)
  3. Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 33 (8), 1010 (1999)
  4. S. Kim, M. Erdtmann, D. Wu, E. Kass, H.Yi, J. Dias, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett., 69 (11), 1614 (1996)
  5. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. Письма ЖТФ, 24 (6), 88 (1998)
  6. http: //www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Nano/index.html
  7. M.J. Kane, G. Braithwaite, M.T. Emeny, D. Lee, T. Martin, D.R. Wright. Appl. Phys. Lett., 76 (8), 943 (2000)
  8. А.А. Попов, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 24 (2), 34 (1998)
  9. M.K. Parry, A. Krier. Electron. Lett., 30 (23), 1968 (1994)
  10. M.J. Pullin, H.R. Hardaway, J.D. Heber et al. Appl. Phys. Lett., 74 (16), 2384 (1999)
  11. A. Allerman, R.M. Biefeld, S.R. Kurtz. Appl. Phys. Lett., 69 (22), 465 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.