Исследовано влияние облучения легкими ионами углерода на нанокластерную структуру алмазоподобных пленок углерода. Установлено, что электронные свойства (оптическое поглощение, электропроводность при низких температурах) пленок проявляют сильную дозовую зависимость, что является следствием квантово-размерного эффекта. Изменения оптической щели и энергии активации прыжковой проводимости свидетельствуют о росте размеров pi-кластеров, тогда как их концентрация остается постоянной во всем интервале доз облучения 3· 10¹⁴-1.2· 10¹⁷ см^-2. Процесс дефектообразования в кластерах сдвинут в сторону более высоких доз облучения по сравнению с однородными по структуре материалами. Проведены оценки оптического поглощения pi-кластеров, их концентрации в образцах, параметров туннелирования для исходных и полностью "графитизированных" пленок, толщины барьерного слоя между кластерами, определена ширина зоны дефектных состояний. Показано, что известная зависимость оптической ширины pi-кластеров от их размера должна быть модифицирована в случае больших кластеров (E_g=<q 1 эВ).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.