Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Дрейфовая подвижность носителей заряда в пористом кремнии

Аверкиев Н.С.¹, Казакова Л.П.¹, Лебедев Э.А.¹, Смирнова Н.Н.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 3 ноября 2000 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование дрейфовой подвижности носителей заряда в пористом кремнии в широком интервале температур 190-360 K и напряженности электрического поля 2· 10³-3· 10⁴ В/см. Установлена экспоненциальная зависимость дрейфовой подвижности дырок от температуры с энергией активации d~0.14 эВ. Получена оценка плотности локализованных состояний, контролирующих перенос.

O. Klima, P. Hlinomaz, A. Hospodkova, J. Oswald, J. Kocka. J. Non-Cryst. Sol. 162--164. 961 (1993)
Э.А. Лебедев, Г. Полисский, В. Петрова-Кох. ФТП, 30, 1468 (1996)
Л.П. Казакова, А.А. Лебедев, Э.А. Лебедев. ФТП, 31, 609 (1997)
E.A. Lebedev, E.A. Smorgonslaya, G.Polisski. Phys. Rev. B, 57, 14 607 (1998)
P. Rao, E.A. Schiff, L. Tsybeskov, P.M. Fauchet. Abstracts of the Int. Conf, "Porous semiconductors --- Science and Technology" (Mallorca, Spain, 1998) p. 53
W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 1, 197 (1969)
М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973). [Пер. с англ.: M.A. Lampert, P. Mark. Current injection in solids (N.Y.--London, Academic Press, 1970)]
M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch, W. Schirmacher, M. Eberbard. Phys. Rev. B, 51 (4), 2199 (1995)
Н.Ф. Мотт, Э.А. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
С.П. Кобелева, Т.Н. Бахтигараев, Е.А. Петрова, А.Ф. Орлов. Тез. докл. 2-й Всеросс. конф. по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (М., 2000) с. 348
Е.А. Петрова, К.Н. Богословская, Л.А. Балагуров, Г.И. Кочарадзе. Тез. докл. 2-й Всеросс. конф. по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (М., 2000) с. 365

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель