"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Контакт металл--карбид кремния: зависимость высоты барьера Шоттки от политипа SiC
Давыдов С.Ю.1, Лебедев А.А.1, Посредник О.В.2, Таиров Ю.М.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 12 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.

В рамках простой модели проанализированы результаты измерений высоты барьера Шоттки Phinb на контакте хрома с политипами карбида кремния 8H-, 6H-, 15R-, 27R- и 4H-SiC-n-типа проводимости. Показано, что величина Phinb пропорциональна концентрации кремниевых вакансий в политипах. Обсуждаются результаты измерений Phinb на контактах палладия и платины с политипами карбида кремния.
  1. W. Monch. Rep. Progr. Phys., 53, 221 (1990)
  2. Silicon Carbide and Related Materials, ECSCRM-2000 [ Proc. 3 rd Europian Conf. Silicon Carbide and Related Materials, (Kloster Banz, Germany), ed. by G. Pensl, D. Stephani, M. Hundhausen. (Trans. Tech. Publications, Switzerland, 2001)]
  3. Н.Д. Сорокин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков, М.А. Чернов. Кристаллография, 28, 910 (1983)
  4. Р.Г. Веренченко, В.И. Санкин, Е.И. Радованова. ФТП, 17, 1757 (1983)
  5. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
  6. А.А. Лебедев. ФТП, 33, 769 (1999)
  7. R. Ludeke, G. Jezequel, A. Tabel-Ibrahimi. Phys. Rev. Lett., 61, 601 (1989)
  8. R. Ludeke. Phys. Rev. B, 40, 1947 (1989)
  9. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, С.К. Тихонов. ФТП, 31, 597 (1997)
  10. P. Deak, A. Gali. J. Miro, R. Guiterrez, A. Sieck, Th. Frauenheim. Mater. Sci. Forum (Trans. Tech. Publications, Switzerland), 264--268, 279 (1998)
  11. J.R. Waldrop. J. Appl. Phys., 75, 4558 (1994)
  12. А.Н. Андреев, А.А. Лебедев, М.Г. Растегаева, Ф.М. Снегов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков, Л.Н. Шестопалов. ФТП, 29, 1828 (1995)
  13. Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  14. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  15. H.-J. Im, B. Kaczer, J.P. Pelz, J. Chen, W.J. Choyke. Mater. Sci. Forum (Trans. Tech. Publications, Switzerland), 264--268, 813 (1998)
  16. W. Monch. In: Control of Semiconductor Interfaces, ed. by I. Ohdomari, M. Oshima and A. Hiraki (Elsevier, Amsterdam, 1994) p. 169
  17. V. van Elsbergen, T.U. Kampen, W. Monch. J. Appl. Phys., 79, 316 (1996)
  18. G. Wellenhofer, K. Karch, P. Pavonet, U. Rossler, D. Strauch. Conf. Silicon Carbide and Related Materials [Inst. Phys. Conf. Ser., 142, Ch. 2, 301 (1996)]
  19. С.Ю. Давыдов, С.К. Тихонов. ФТТ 37, 2749 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.